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黄自强

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理

主题

  • 5篇阴极
  • 5篇增强型
  • 4篇电性
  • 4篇约瑟夫森结
  • 4篇势垒
  • 4篇半导体
  • 4篇GAN_HE...
  • 3篇图形化
  • 3篇刻蚀
  • 3篇沟道
  • 3篇成核
  • 2篇氮化
  • 2篇电流
  • 2篇阳极
  • 2篇栅介质
  • 2篇势垒层
  • 2篇输出电流
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...

机构

  • 20篇复旦大学
  • 5篇上海集成电路...

作者

  • 20篇黄自强
  • 14篇徐敏
  • 14篇张卫
  • 12篇王强
  • 12篇徐赛生
  • 12篇王晨
  • 12篇黄海

年份

  • 3篇2024
  • 12篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2012
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GAA器件的沟道刻蚀方法与GAA器件的制备方法
本发明提供了GAA器件的沟道刻蚀方法，包括：在衬底上形成若干鳍结构；形成第一图形化的掩膜层与第一保护结构；以第一图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀第一鳍结构的堆叠结构的顶端和侧壁的第一保护结构；以剩余的第一保护结构为掩膜，选择性...
李佳阳刘桃孙新黄自强钱乐雯汪大伟郭新龙徐敏张卫
一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法
本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：衬底为SiC，其中包含有P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区...
王路宇张鹏浩徐敏王强潘茂林谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结
本发明提供了一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结制备方法，包括以下步骤：向工艺腔内通入氩气和氮气，在氩气和氮气的作用下通过靶材对工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。本发明的约瑟...
黄自强王晨徐敏徐赛生张卫
用于氮化物半导体器件的钝化层制备方法及器件制备方法
本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢...
张鹏浩王路宇徐敏王强潘茂林谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
约瑟夫森结金属层镀膜方法
本发明提供了一种约瑟夫森结金属层镀膜方法。该方法包括以下步骤：将待镀膜对象移动至工艺腔内；将工艺腔的温度调整至第一温度，对对象进行镀膜；将工艺腔的温度调整至第二温度，并在工艺腔内对对象进行退火，第二温度大于第一温度。本发...
黄自强王晨徐敏徐赛生张卫
GaN HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周...
王路宇张鹏浩徐敏陈鲲潘茂林王强谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
具有防破坏性击穿功能的GaN HEMT器件结构及制作方法
本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域...
王路宇张鹏浩徐敏王强潘茂林黄自强谢欣灵黄海徐赛生王晨张卫
一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法
本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂...
王路宇张鹏浩徐敏潘茂林王强黄自强谢欣灵黄海徐赛生王晨张卫
基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法
本发明提供了一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层；肖特基势垒二极管，所...
王路宇张鹏浩徐敏潘茂林王强黄海黄自强谢欣灵徐赛生王晨张卫
约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结
本发明提供了一种约瑟夫森结制备装置、方法及约瑟夫森结。该装置包括输送单元、第一沉积单元、第二沉积单元、光刻单元和刻蚀单元，通过第一沉积单元和第二沉积单元制备约瑟夫森结，通过光刻单元和刻蚀单元对约瑟夫森结进行图形化。本发明...
黄自强王晨徐敏徐赛生张卫
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