徐赛生
- 作品数：42 被引量：49H指数：5
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程文化科学金属学及工艺更多>>
- 脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：7
- 2007年
- 针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易获得较小电阻率和较大晶粒尺寸的铜薄膜。
- 徐赛生曾磊张立锋张炜张卫汪礼康
- 关键词：铜互连脉冲电镀电阻率晶粒尺寸表面粗糙度
- GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法
- 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的...
- 徐敏张卫王晨徐赛生
- 集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：7
- 2008年
- 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能。
- 徐赛生曾磊张立锋顾晓清张卫汪礼康
- 关键词：铜互连X射线衍射添加剂
- 一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法
- 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：衬底为SiC，其中包含有P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区...
- 王路宇张鹏浩徐敏王强潘茂林谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
- 带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路
- 本发明提供了一种带有负压驱动模块的常开型氮化镓功率器件集成电路，包括：衬底；形成在所述衬底上第三区域的常开型氮化镓功率器件和第一区域与第二区域的负压驱动模块；其中，所述负压驱动模块用于保持所述常开型氮化镓功率器件在非工作...
- 王路宇张鹏浩徐敏潘茂林王强杨妍楠樊蓉谢欣灵徐赛生王晨张卫
- 基于SiC衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法
- 本发明提供了一种基于SiC衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底，包括分别形成于所述衬底第一区域与第二区域的p+掺杂区与n+掺杂区；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述衬底表面相对的两侧区...
- 王路宇张鹏浩徐敏王强潘茂林黄自强谢欣灵黄海徐赛生王晨张卫
- 高介电常数HfO_2栅介质的制备及性能被引量：8
- 2009年
- 氧化铪(HfO2)介质材料是目前用来取代SiO2的最有前途材料之一。介绍了HfO2的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点。比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备HfO2介质材料的最好方法之一。
- 薛原徐赛生董琳丁士进张卫
- 关键词：氧化铪介质材料原子层淀积
- 高端集成电路工艺实验室管理探究被引量：2
- 2020年
- 随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研究高端集成电路工艺实验室的管理问题。为国内兄弟院校在管理集成电路实验室方面提供参考。
- 张立锋徐赛生王凡丁士进张卫
- 关键词：集成电路
- 用于氮化物半导体器件的钝化层制备方法及器件制备方法
- 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢...
- 张鹏浩王路宇徐敏王强潘茂林谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
- GaN器件与SiC器件的集成芯片及其制作方法
- 本发明提供了一种GaN器件与SiC器件的集成芯片，包括：第一SiC衬底；GaN驱动电路，所述GaN驱动电路包括第一沟道层；所述第一沟道层外延形成于所述第一SiC衬底上，且直接接触所述第一SiC衬底；第一功率器件，所述第一...
- 潘茂林王路宇徐敏王强张鹏浩谢欣灵黄海樊蓉杨妍楠徐赛生王晨张卫
