章蕾
- 作品数:49 被引量:26H指数:3
- 供职机构:上海大学更多>>
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- 相关领域:化学工程理学一般工业技术机械工程更多>>
- 硅酸铋体系玻璃的制备和发光性能研究
- 2018年
- 采用高温熔融法成功制备了组分为x Bi2O3-(100-x)Si O2(x=30~60 mol%)的Bi2O3-Si O2体系透明玻璃,并利用X射线衍射、拉曼光谱(Raman Spectra)、近红外发射光谱和紫外-可见光-近红外透射谱分析了该玻璃体系的网络结构发光特性。系统研究了该玻璃体系的铋硅比、不同熔制温度对其光学特性的影响。
- 谢建军郝鹏张方圆范灵聪章蕾施鹰
- 关键词:光学性能
- 抗水解改性AlN纳米粉体的制备方法
- 本发明公开了一种抗水解的改性氮化铝(AlN)粉体及其制备方法,该方法利用VP共聚物、硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝酸酯偶联剂在AlN粉体表面形成高分子碳链包裹层,提高了AlN粉体抗水解的能力。高分子直接法中首先把AlN粉体...
- 谢建军王宇王顺余广程施鹰汪暾章蕾
- 文献传递
- 硅酸铋体系玻璃的制备和发光性能研究
- 本文采用高温熔融法成功制备了组分为xBi2O3-(100-x)SiO2(x=30-60mol%)的Bi2O3-SiO2体系透明玻璃,并利用X射线衍射、拉曼光谱(Raman Spectra)、近红外发射光谱和紫外-可见光-...
- 谢建军郝鹏张方圆范灵聪章蕾施鹰
- 关键词:透明玻璃高温熔融法光学性能
- 大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法
- 本发明提供了一种大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法,制备的氮化铝陶瓷基板具有高致密度、高热导率、表面平整、翘起度小等优点。此工艺为一次成型增加了生产效率,降低生产成本。本发明采用不同烧结助剂体系有效降低了氮化铝的烧结温度,采...
- 施鹰丁毛毛汪暾贾颍飞谢建军雷芳章蕾
- 文献传递
- 基于拟牛顿法气-液直接接触式冷却塔设计实例研究被引量:1
- 2018年
- 最优化计算方法是能源与动力专业的基础课程,目前缺乏关于能源装备的实际案例。采用拟牛顿算法求解气-液接触式冷却塔设计问题。首先基于蒸发和冷凝物理过程构建常微分方程,进而采用拟牛顿法求解常微分方程,为改善迭代稳定性,开发一种基于液相温度最大值点的迭代更新算法,具有很好的收敛速度和稳定性。针对国外某台28MWe富氧燃烧电厂实际烟气计算所需冷却塔填料高度。研究发现:L/G对填料高度和烟气出口湿度的影响相似。过低的L/G大大增加填料高度和烟气出口湿度,而过高的L/G并不能有效降低填料高度和烟气出口湿度,存在最优L/G范围。降低液体温度提高了冷却塔出口烟气的冷凝效率,但温度低于10℃,冷凝效率的提升有限。根据L/G与液体温度的关系,获得最优的液体温度为10℃,相应的最优L/G范围为3.4~4.5。
- 刘敦禹范雪东章蕾
- 关键词:冷却塔设计拟牛顿法直接接触式
- 织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法,采用强磁场下注浆成型并结合热等静压烧结工艺制备LSO:Ce闪烁陶瓷。本发明利用高分散的LSO:Ce料浆在强磁场下成型制备具有一定晶粒取向度的LSO:Ce素坯,再将素...
- 施鹰范灵聪谢建军雷芳章蕾
- 红光补偿荧光玻璃陶瓷及其制备方法和在白光LED器件中的应用
- 本发明公开了一种红光补偿荧光玻璃陶瓷及其制备方法和在白光LED器件中的应用,通过高温熔融法,制备可被蓝光有效激发的红色硼磷酸盐荧光玻璃,然后通过低温共烧法将红色硼磷酸盐荧光玻璃和YAG:Ce<Sup>3+</Sup>黄色...
- 雷芳马腾陈璐施鹰谢建军章蕾范灵聪
- 文献传递
- 发光性能稳定的红光钙钛矿量子点及其制备方法
- 本发明涉及一种发光性能稳定性的红光钙钛矿量子点及其制备方法。其物质组成的化学式为:CsPbBr<Sub>x</Sub>I<Sub>3‑X</Sub>,其中0<x<3。本发明红光钙钛矿量子点的制备方法,使用短链金属有机盐替...
- 雷芳李乃鑫施鹰谢建军章蕾范灵聪
- 文献传递
- AlON透明陶瓷的低温制备方法
- 本发明公开了一种透明氮氧化铝(AlON)陶瓷的低温制备方法采用全方位行星式球磨机过对本发明制作的AlON粉体进行破碎改性,在破碎后的粉体中加入单一的MgO烧结助剂,该粉末在600~700℃下煅烧除碳后,获得具有粒径小、烧...
- 孙泽汉施鹰谢建军章蕾雷芳范灵聪丁毛毛
- 文献传递
- Cu/Al_2O_3与Cu/AlN复合陶瓷基板材料制备研究被引量:2
- 2015年
- 利用直接敷铜(DBC)技术制备了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料。通过机械剥离机和场发射扫描电子显微镜分析了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料的结合力、界面微观形貌与元素分布。结果表明,在Cu箔能与Al2O3基板直接结合,而AlN组需要预氧化然后才能与Cu箔紧密结合,Cu箔与Al2O3、预氧化AlN基板间的结合力均超过8N/mm。通过EDS能谱分析,在Cu箔与预氧化AlN基板间出现组分主要为Al2O3和CuAlO2的过渡层。
- 谢建军王亚黎施誉挺李德善丁毛毛翟甜蕾章蕾吴志豪施鹰
- 关键词:界面结合力