林德宝
- 作品数:13 被引量:18H指数:3
- 供职机构:上海大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域:化学工程一般工业技术理学机械工程更多>>
- ZnO透明陶瓷的制备和光学性能优化
- 透明陶瓷的研究工作已经从聚焦各向同性的立方晶系材料体系拓展到低对称性材料体系,而低对称性透明陶瓷的制备和光学透明性优化是目前面临的一个难点。常温常压下ZnO材料为六方晶体结构,其不同晶向上的折射率差异造成的双折射导致其光...
- 林德宝
- 关键词:氧化锌透明陶瓷放电等离子体烧结织构
- 文献传递
- 利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法
- 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体(LSO:Ce<Sup>3+</Sup>)的方法,属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是:采用St?ber法将正硅酸四乙酯(TEOS)在氨(NH<Sub...
- 施鹰许志斌林德宝谢建军范灵聪
- 文献传递
- 氧化锌透明陶瓷光学透过模型构建与实验验证
- 2019年
- 本研究以ZnO透明陶瓷为研究对象,基于Mie理论及Rayleigh-Debye近似散射理论,建立了单轴六方晶系透明陶瓷的双折射散射与其直线光学透过率之间关联的理论模型,阐明了ZnO透明陶瓷光学直线透过率随晶粒尺寸减小、陶瓷织构度的提升而增大的关系。采用强磁场下的注浆成型工艺结合优化放电等离子体烧结参数,实现了ZnO透明陶瓷显微结构的有效调控,使得制备的ZnO透明陶瓷符合模型要求。实验结果表明:当ZnO陶瓷平均晶粒尺寸从1.72μm减小至0.66μm时,其600 nm处的直线透过率从5.1%提高到12.9%;对于亚微米级ZnO陶瓷(平均晶粒尺寸0.35μm),当陶瓷织构度从4.0%提高到24.7%时(XRD计算),样品光学直线透过率从21.6%提升到36.6%。所获得实验结果与构建的理论模型计算结果吻合,证实了所构建的模型。
- 林德宝范灵聪丁毛毛谢建军雷芳施鹰
- 关键词:ZNO双折射织构透过率
- T4+掺杂Bi4Si3O12薄膜的制备和发光性能研究
- 硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)材料具有高密度、高光输出、快衰减、较好的物理化学和机械性能等优点,是一种综合性能优良的闪烁探测材料。但由于其光输出相对较弱,制约了其应用。
- 谢建军张方圆林德宝施鹰雷芳章蕾
- 关键词:硅酸铋发光性能
- 采用放电等离子体烧结工艺制备ZnO透明陶瓷的方法
- 本发明公开了一种采用放电等离子体烧结工艺制备ZnO透明陶瓷的方法,基于化学沉淀法制备的ZnO纳米粉体为原料,低温烧结透明陶瓷方法。其特征在于以硝酸锌为锌源、碳酸氢铵为沉淀剂,室温下滴加混合后得到的沉淀物经洗涤、烘干,在6...
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- 直接敷铜工艺制备Cu/AlN材料的界面结构及结合性能被引量:7
- 2017年
- 通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成。结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合强度超过了8.00N·mm^(-1),铜箔和AlN陶瓷之间存在厚度约为2μm的过渡层,过渡层中主要含有Al_2O_3、CuAlO_2和Cu_2O化合物;随着敷接温度升高,Cu/AlN的界面结合强度逐渐增大。
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- 关键词:表面金属化ALN陶瓷界面结合强度
- Tb3+/Ce3+共掺杂Lu2SiO5薄膜制备与性能研究
- Tb具有5D4→7F5的特征能级跃迁,能在许多基质中于540 nm附近产生特征绿光发射,但Tb的猝灭浓度较高且价格昂贵,廉价的Ce作为Tb的敏化剂,可大幅度地提高Tb的发射。
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- 关键词:发光薄膜
- 尿素辅助的共沉淀模板法制备LSO:Ce^(3+)发光粉体被引量:2
- 2011年
- 采用尿素辅助的共沉淀模板法,通过在单分散的SiO2微球模板上包覆Lu(OH)3制备出了具有核-壳结构的SiO2@Lu(OH)3粉体颗粒,经煅烧后得到了LSO:Ce3+荧光粉体.结果发现煅烧温度对荧光粉的相组成和形貌都产生了很大影响.当在1200℃下煅烧2 h时,得到了单相LSO:Ce3+粉体.在900℃煅烧后的粉体颗粒呈球形,粒径大约为400~500 nm,随着煅烧温度的升高,粉体形状变得不规则,而且有团聚现象.采用PL光谱仪对1200℃煅烧的粉体进行了光学性能表征,结果表明其激发谱中的最强激发峰位于360 nm处,发射谱表现为位于384~440 nm范围内宽发射峰中心420 nm,归因为Ce3+的5d→4f间的电子跃迁.
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- Ce,Pr离子双掺LuAG透明陶瓷制备及光学性能被引量:3
- 2016年
- 以NH_4OH+NH_4HCO_3混合溶液作为复合沉淀剂,利用反向滴定共沉淀法制备了不同浓度Ce,Pr共掺杂LuAG沉淀前驱体,并研究了Pr掺杂浓度为0.25at%,Ce掺杂浓度分别为0、0.1at%、0.2at%和0.3at%的LuAG透明陶瓷的光学性能。沉淀前驱体经马弗炉1200℃煅烧2 h后所得粉体的分散性较好,一次颗粒尺寸约为60 nm。该粉体经干压和冷等静压成型后,在H_2气氛1800℃下烧结6 h制备出透明陶瓷,经双面抛光后透明陶瓷在800 nm波长处直线透过率达到82%。X射线激发的发射光谱表明,共掺使Pr离子5d-4f的发射能量传递给Ce离子,有助于提高LuAG透明陶瓷在550 nm发光中心的发光强度。0.2at%Ce和0.25at%Pr共掺杂时,透明陶瓷的发光强度达到最大。
- 周鼎施鹰范灵聪林德宝孙泽清徐家跃
- 关键词:光学性能
- 利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体的方法
- 本发明涉及一种利用液相包裹法低温制备铈离子掺杂硅酸镥粉体(LSO:Ce<Sup>3+</Sup>)的方法,属无机发光纳米材料制备技术领域。本发明的制备方法是:采用St?ber法将正硅酸四乙酯(TEOS)在氨(NH<Sub...
- 施鹰许志斌林德宝谢建军范灵聪