您的位置: 专家智库 > >

张洪涛

作品数:22 被引量:61H指数:4
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:武汉市重点科技攻关计划项目国家教育部博士点基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 11篇纳米
  • 7篇碳化硅
  • 4篇散射
  • 3篇溶胶
  • 3篇纳米晶
  • 3篇晶须
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 3篇光学性质
  • 3篇SOL-GE...
  • 3篇SOL-GE...
  • 2篇多晶
  • 2篇多媒体广播
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇微结构
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子学
  • 2篇纳米晶须
  • 2篇喇曼
  • 2篇喇曼散射

机构

  • 11篇湖北工学院
  • 11篇华中理工大学
  • 9篇华中科技大学
  • 1篇湖北工业大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 22篇张洪涛
  • 17篇徐重阳
  • 6篇邹雪城
  • 5篇许辉
  • 4篇赵伯芳
  • 3篇王长安
  • 2篇周雪梅
  • 2篇王长安
  • 2篇曾祥斌
  • 2篇曾祥斌
  • 2篇周雪梅
  • 1篇朱长虹
  • 1篇许辉
  • 1篇饶瑞

传媒

  • 3篇激光杂志
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇微电子学
  • 1篇Journa...
  • 1篇电声技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇陶瓷工程
  • 1篇上海化工
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇计算机与现代...
  • 1篇光电技术
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇2000(第...
  • 1篇第九届全国发...

年份

  • 1篇2005
  • 8篇2002
  • 3篇2001
  • 10篇2000
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象被引量:3
2002年
对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂 ,B掺杂效率比P高 ,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer Neldel规则 ,并有反转Meyer Neldel规则出现 .掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一 .非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献 .
张洪涛徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥兵
关键词:碳化硅薄膜掺杂电导率
Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究被引量:4
2000年
以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)+1Si(OCH_3)]和正硅酸乙脂(TEOS)两种有机物为起始原料,用溶胶-凝胶法制备出SiC凝胶膜,在Ar气氛下烧结,制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜(TEM)结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究,根据分析和观察结果,膜由颗粒尺寸在直径为2nm-4nm,长度为20nm-40nm左右的SiC纳米晶须构成,纯度高,且膜为不均匀孔膜。
张洪涛徐重阳邹雪城曾祥斌王长安赵伯芳周雪梅
关键词:纳米晶须溶胶凝胶法碳化硅
4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究被引量:3
2002年
采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时 ,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化 .Raman光谱和透射电子衍射 (TEM)的测试结果表明 ,纳米晶SiC是 4H SiC多型结构 .电子显微照片表明平均粒径为 16nm ,形状为微柱体 .实验结果指出 ,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ;当低于这一功率密度阈值时 ,晶化消失 ;当超过这一阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加 .随着晶化作用的加强 ,电导率增加 .
张洪涛徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
关键词:4H-SICPECVD纳米电子学光电性质微结构碳化硅
CVD淀积SiC薄膜SiH_4、CH_4的分解反应的计算机模拟研究被引量:1
2000年
采用化学气相淀积 ( CVD)淀积 Si C薄膜中 Si H4、CH4的分解反应方程对 Si H4、CH4的分解产物种属进行数学建模 ,并结合相关热力学数据进行计算机模拟 ,得出 Si H4分解产物中以 Si H2 为最多 ,CH4以 CH2 为最多 ,表明它们在淀积薄膜中是主要因素。
张洪涛许辉徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅
关键词:化学气相淀积SIC薄膜SIH4计算机模拟
纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构被引量:1
2002年
采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压 PECVD技术制备纳米碳化硅 /氮化镓固溶晶薄膜。经过透射电镜观察 ,形状为微丘陵状 ,晶粒径在 3~ 16 nm范围 ,垂直衬底生长 ,其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合。拉曼光谱与4 H -多型 Si C范围相似。并出现晶态氮化镓的特征峰。这表明制备出纳米碳化硅
张洪涛徐重阳曾祥斌邹雪城
关键词:氮化镓碳化硅
sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究被引量:19
2000年
采用长链甲基三甲氧基硅烷〔Cn H2 n+ 1 Si(OCH3)〕和正硅酸乙酯 (TEOS)两种有机物为起始原料 ,用溶胶 -凝胶法通过合理控制反应条件 ,制备出β- Si C凝胶粉体 ,然后在 Ar气氛、 90 0~ 130 0℃下热处理 ,制备出了高纯、低氧含量 ,直径 2~ 10 nm,长度 40~ 80 nm的β- Si C纳米晶须。产物纯度达到 99.92 %。利用 X射线粉晶衍射、透射电镜 (TEM)、拉曼光谱等测试方法对制得的晶须进行了结构及颗粒尺寸等研究。讨论了反应条件对β- Si
张洪涛徐重阳
关键词:纳米晶碳化硅溶胶-凝胶法
用于多媒体广播的正交频分复用模块集成系统被引量:1
2000年
在 0 .1 8μm工艺或更小的线宽下 ,可把各单个子系统有效地集成在同一块芯片上。通过讨论新工艺条件下具有语音视频图像处理功能的高速编码正交频分复用调制 (OFDM)集成系统设计的可能方案 ,并剖析实例 ,对其离散余弦变换、快速傅里叶变换及前向纠错编码进行了分析。
张洪涛许辉徐重阳
关键词:专用集成电路多媒体广播
超细非晶TiO_2包覆研究被引量:3
2000年
用聚硅氧烷对超细非晶TiO2粉体颗粒进行了表面改性。观察到实验中出现粒度分布频率漂移的现象。从结构和表面性质出发,从理论上阐述了包覆后的粉体颗粒体积变小的原因。对比了不同实验条件下粉体的包覆效果。发现超细非晶TiO2包覆可以有效地克服团聚,极大地提高分散性,同时分散系的稳定性也大为提高。
张洪涛
关键词:超细粉体粒度分布二氧化钛表面包覆非晶态
用于多媒体广播的正交频分复用模块超大规模集成技术
2000年
文中通过讨论新工艺条件下的高速编码正交频分复用调制(OFDM)大规模集成设计的可能方案,并参照计算模块实例,对OFDM MODEN的快速傅立叶交换及前向纠错编码进行了分析。
张洪涛徐重阳
关键词:正交频分复用OFDM多媒体广播
纳米SiC多晶膜的受激喇曼散射研究被引量:1
2001年
讨论了无序结构的纳米SiC多晶膜中存在的喇曼受激辐射现象。研究结果表明 ,在连续波激发时 ,喇曼受激散具有空间均匀辐射且阈值低的特点。纳米晶无序结构强烈的散射作用形成的扩散 反馈机制和纳米晶大的喇曼散射截面产生了低阈值受激散射。
张洪涛陈涛徐重阳许辉
共3页<123>
聚类工具0