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彭真

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氧化钪
  • 2篇扩散阴极
  • 1篇低湿
  • 1篇电子发射
  • 1篇研磨
  • 1篇阴极
  • 1篇真空度
  • 1篇碳酸钡
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基效应
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇浸渍
  • 1篇广口瓶
  • 1篇OS
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇

机构

  • 4篇中国科学院电...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 4篇王欣欣
  • 4篇彭真
  • 4篇阴生毅
  • 3篇郑强
  • 3篇李阳
  • 2篇王宇
  • 2篇王宇

传媒

  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种阴极活性发射材料的制备方法
本发明是一种阴极活性发射材料的制备方法,制备步骤如下:第一步:将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中,再将镍舟推入氢炉进行加热分解,获得钡锶钙氧化物;第二步:用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末,研磨时避免不...
阴生毅彭真王宇李阳王欣欣郑强
文献传递
覆Os膜M型阴极高发射性能随真空度变化的研究被引量:5
2013年
在覆Os膜M型阴极工作于75 A/cm2高电流密度的情况下,逐级降低真空系统的真空度,测出了阴极电流密度随真空度变化的关系曲线。分析表明,当系统真空度为1.0×10-5Pa时,阴极发射开始出现明显下降,下降幅度达1.96%;当真空度为2.07×10-4Pa时,阴极电流密度降低10%,阴极寿命接近终了。进一步研究认为,对于微波管而言,通过渗漏进入微波管内的大气特别是其中的氧分子,将阴极表面的Ba+(a)转变为Ba2+,使得阴极表面的发射单元逐步丧失电子发射能力;与此同时,真空度降低带来的离子轰击使得离子斑区域的覆膜层消失,导致该区域功函数升高。两种因素的共同作用,使得微波管中阴极的发射性能逐步下降。
阴生毅彭真王宇王欣欣
关键词:真空度电子发射
一种阴极活性发射材料的制备方法
本发明是一种阴极活性发射材料的制备方法,制备步骤如下:第一步:将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中,再将镍舟推入氢炉进行加热分解,获得钡锶钙氧化物;第二步:用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末,研磨时避免不...
阴生毅彭真王宇李阳王欣欣郑强
文献传递
脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能被引量:4
2014年
为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2;阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。
彭真阴生毅郑强王欣欣王宇李阳
关键词:脉冲激光沉积
共1页<1>
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