王欣欣
- 作品数：9 被引量：24H指数：4
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学冶金工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 脉冲激光沉积技术制备的钪型阴极的发射性能被引量：4
- 2014年
- 为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求,该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaOSc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线,并探讨了发射机制。结果表明,在1100?C工作温度下,该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2;阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。
- 彭真阴生毅郑强王欣欣王宇李阳
- 关键词：脉冲激光沉积
- 钨粉分级及其在M型阴极上的应用被引量：9
- 2010年
- 为解决超细钨粉导致阴极用钨海绵体闭孔率偏高的问题,对钨粉的射流分级技术进行了研究。结果表明,与未分级相比采用射流分级方法可有效去除微米级钨粉中的超细钨粉,所制备的海绵体的闭孔率较分级前下降约60%,后续制备M型阴极的合格率从40%～60%提高至90%以上。
- 阴生毅王宇王欣欣
- 关键词：钨粉
- 一种阴极活性发射材料的制备方法
- 本发明是一种阴极活性发射材料的制备方法，制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不...
- 阴生毅彭真王宇李阳王欣欣郑强
- 文献传递
- 覆Os膜M型阴极高发射性能随真空度变化的研究被引量：5
- 2013年
- 在覆Os膜M型阴极工作于75 A/cm2高电流密度的情况下,逐级降低真空系统的真空度,测出了阴极电流密度随真空度变化的关系曲线。分析表明,当系统真空度为1.0×10-5Pa时,阴极发射开始出现明显下降,下降幅度达1.96%;当真空度为2.07×10-4Pa时,阴极电流密度降低10%,阴极寿命接近终了。进一步研究认为,对于微波管而言,通过渗漏进入微波管内的大气特别是其中的氧分子,将阴极表面的Ba+(a)转变为Ba2+,使得阴极表面的发射单元逐步丧失电子发射能力;与此同时,真空度降低带来的离子轰击使得离子斑区域的覆膜层消失,导致该区域功函数升高。两种因素的共同作用,使得微波管中阴极的发射性能逐步下降。
- 阴生毅彭真王宇王欣欣
- 关键词：真空度电子发射
- 覆锇膜阴极表面同步辐射光电子谱研究被引量：5
- 2011年
- 为何浸渍阴极表面覆一层高功函数的锇(Os)膜后发射能力可以显著增加?这是一个长期未搞清的重要问题。该文在对阴极进行发射性能测试和扫描电镜分析的基础上,利用同步辐射光电子谱装置,对覆钨(W)膜阴极和覆Os膜阴极表面的元素成分及化学状态进行了全面系统的研究。结果表明,覆Os膜阴极的电子发射能力是覆W膜阴极2.65倍;与覆W膜相比,覆Os膜使阴极表面的钡(Ba)原子和低结合能态的吸附氧(O)原子分别增加了40%和56%。进一步分析认为,Os膜具有易氧化及氧化物易分解的特性,这一特性决定了覆Os膜阴极在激活后可以获得更多的超额钡Ba+(a),并因此具备更高的电子发射能力。
- 阴生毅张洪来杨靖鑫奎热西钱海杰王嘉欧王宇王欣欣
- 关键词：同步辐射光电子能谱化学态
- 100A/cm2高电流密度M型阴极的制备及测试
- 为研制100A/cm2高电流密度M型阴极并实施发射测试，本文进行了两方面的工作：在阴极制备中全面采用钨粉射流分级、WReOs三元合金膜等新技术：对水冷二极管测试装置进行改进，将无氧铜阳极更换为钨阳极。测试结果表明，在脉冲...
- 阴生毅张洪来王宇王欣欣王其富
- 关键词：电真空器件
- 文献传递
- 浸渍钡钨阴极表面同步辐射光电子谱研究
- 2010年
- 为了解浸渍钡钨阴极表面各元素的化学状态,采用同步辐射光电子谱技术对激活前后的阴极表面进行了研究。结果表明,与激活前相比,经1150℃×90min高温激活后,阴极表面吸附层厚度减薄,吸附C完全消失,O含量明显升高,W含量增加1倍,Ba含量增加2倍。另外,阴极表面的O1s、W4f和Ba3d等的谱峰均向高结合能方向显著位移。分析认为,激活后的阴极表面分布的吸附氧,使W基体以及阴极表面的Ba均产生吸附氧化,Ba在阴极表面主要以吸附化合物Bam·On(m≤n)的形式存在。
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- 关键词：同步辐射光电子谱结合能化学位移
- 一种阴极活性发射材料的制备方法
- 本发明是一种阴极活性发射材料的制备方法，制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不...
- 阴生毅彭真王宇李阳王欣欣郑强
- 文献传递
- 阴极蒸发物电子发射现象的研究被引量：2
- 2011年
- 为研究钡钨阴极蒸发物的电子发射现象,采用一种新设计的测试装置,对沉积在多晶钨表面上阴极蒸发物的电子发射曲线进行了采集,利用电子发射显微镜和扫描电镜对蒸发物沉积层的电子发射像、表面形貌和成分进行了分析。结果表明,电子发射曲线分3段,即陡升段、快升段和缓升段。分析认为,发射曲线的3段依次对应着多晶钨表面的晶界及划痕发射、晶面发射和3维岛状发射。实践证明,在覆膜阴极表面构造均匀弥散分布的岛状晶体发射点,可大幅度提高阴极的电子发射性能。
- 杨靖鑫阴生毅王宇王欣欣
- 关键词：电子发射钡钨阴极
