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文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇光电
  • 2篇光阴极
  • 1篇电荷量
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇仪器
  • 1篇增强器
  • 1篇闪烁噪声
  • 1篇探测器
  • 1篇退火
  • 1篇皮秒
  • 1篇紫外波段
  • 1篇萃取
  • 1篇微通道板
  • 1篇像增强器
  • 1篇净化技术
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇光电仪器
  • 1篇光电阴极

机构

  • 5篇北方夜视科技...
  • 1篇西安工业大学

作者

  • 6篇刘晖
  • 4篇程宏昌
  • 4篇苗壮
  • 4篇冯刘
  • 3篇张连东
  • 3篇高翔
  • 2篇贺英萍
  • 2篇史鹏飞
  • 1篇陈高善
  • 1篇胡会萍
  • 1篇杨晓军
  • 1篇茹志兵
  • 1篇牛森
  • 1篇李丹
  • 1篇张妮
  • 1篇李世龙
  • 1篇陈畅
  • 1篇拜晓锋
  • 1篇尹雷
  • 1篇石峰

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外技术
  • 1篇云光技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
高温退火对GaAs光阴极表面状态的影响被引量:1
2014年
利用XPS分析了GaAs光阴极高温退火、激活前后表面组分的变化,结合光阴极退火过程中通过四级质谱仪获取的CO2、H2O、O、As、Cs等分压曲线,比较、讨论了两次退火机理的差异。提出第二次加热的目的不仅在于清洁光阴极表面,更重要的是促使第一次激活在光阴极表面形成的偶极层向更稳定的结构转化,Cs2O偶极子在高温下与GaAs本底反应生成了可在光阴极表面稳定存在的GaAs-O-Cs偶极子,形成主要由键合强的GaAs(Zn)--Cs+、GaAs-O-Cs偶极子及靠范德瓦尔斯力附着在光阴极表面的Cs2O偶极子构成的偶极层。根据这一结论,解释了光阴极两次激活过程中光电流变化规律的差异。对理解光阴极激活及表面光电发射模型具有重要意义。
张连东冯刘刘晖程宏昌高翔张晓辉
关键词:高温退火
电子清刷对双MCP像增强器闪烁噪声的影响被引量:3
2013年
由于微通道板除气不彻底,导致双微通道板像增强器在工作时视场上出现闪烁噪声,因而无法正常工作。为了消除闪烁噪声并使微通道板增益进入一个稳定值区间,采用不同的电子清刷控制方法,对两块微通道板进行彻底除气,结果表明:增大萃取电荷量的方法在减少闪烁噪声的同时也会降低像增强器的增益,而增加台外预先电子清刷阶段并且使第二块微通道板的预先萃取电荷量大于第一块微通道板,可以完全消除闪烁噪声。选择合适的预先萃取电荷量,可以保证像增强器的增益达到105以上,制作出合格的双微通道板像增强器。
冯刘刘晖张连东高翔苗壮程宏昌贺英萍史鹏飞
关键词:像增强器闪烁噪声
紫外像增强器分辨力测试装置
本发明公开了一种紫外像增强器分辨力测试装置,属于光电仪器性能测试领域。该装置包括紫外光源、标准紫外测试分划板和紫外光学系统;标准紫外测试分划板在紫外光源的照射下,能够形成含有标准分划的紫外测试光束,紫外测试光束通过紫外光...
贺英萍茹志兵拜晓锋苗壮尹雷刘晖冯刘胡会萍程宏昌石峰
文献传递
GaAs光电阴极表面状态及净化技术研究
负电子亲和势砷化镓(GaAs)光电阴极作为三代微光像增强器的核心器件,具有量子效率高、暗发射小、发射电子能量分布及角分布集中、长波阈可调、长波响应扩展潜力大等优点。GaAs光电阴极经Cs-O(铯-氧)激活后灵敏度的高低直...
刘晖
关键词:GAAS光电阴极净化技术
文献传递
皮秒级快响应探测器研究的最新进展
2016年
越来越多的民用与军事需求极大促进了皮秒级快响应探测器的蓬勃发展。皮秒级快响应探测器具有高灵敏度、快响应速度、高精度等优点,对放射及高速现象的探测和高能物理学等学科领域具有重要意义。本文重点介绍了太赫兹、x射线等六类皮秒级快响应探测器,并阐释了其快响应原理,以期为皮秒级快响应探测器相关调研提供参考。
陈畅李丹张妮杨晓军李世龙刘晖牛森苗壮
关键词:快响应探测器
GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析被引量:1
2013年
GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化;GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而GaAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例。Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90。
冯刘张连东刘晖程宏昌高翔陈高善史鹏飞苗壮
关键词:GAASX射线光电子能谱刻蚀速率
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