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电子清刷对双MCP像增强器闪烁噪声的影响被引量：3: 2013年; 由于微通道板除气不彻底,导致双微通道板像增强器在工作时视场上出现闪烁噪声,因而无法正常工作。为了消除闪烁噪声并使微通道板增益进入一个稳定值区间,采用不同的电子清刷控制方法,对两块微通道板进行彻底除气,结果表明:增大萃取电荷量的方法在减少闪烁噪声的同时也会降低像增强器的增益,而增加台外预先电子清刷阶段并且使第二块微通道板的预先萃取电荷量大于第一块微通道板,可以完全消除闪烁噪声。选择合适的预先萃取电荷量,可以保证像增强器的增益达到105以上,制作出合格的双微通道板像增强器。; 冯刘刘晖张连东高翔苗壮程宏昌贺英萍史鹏飞; 关键词：像增强器闪烁噪声

基于PLD器件的门控技术在微光像增强器中的应用被引量：3: 2013年; 针对微光像增强器在高照度条件下会出现图像饱和的问题,提出将基于PLD器件的门控技术应用于微光像增强器电源中。论述了微光像增强器门控技术、光阴极门控原理、以及PLD器件应用于门控技术中的原理和实现方法。给出了阴极门控设计原理电路和试验结果。; 智强延波杨晔李军国姚泽王钰苗壮邓广绪; 关键词：像增强器 PLD

紫外像增强器分辨力测试装置: 本发明公开了一种紫外像增强器分辨力测试装置，属于光电仪器性能测试领域。该装置包括紫外光源、标准紫外测试分划板和紫外光学系统；标准紫外测试分划板在紫外光源的照射下，能够形成含有标准分划的紫外测试光束，紫外测试光束通过紫外光...; 贺英萍茹志兵拜晓锋苗壮尹雷刘晖冯刘胡会萍程宏昌石峰; 文献传递

透射式p型GaN(0001)光电阴极的表面洁净度及表征研究: 2016年; 在p型GaN(0001)光电阴极的化学腐蚀和高温热清洗的处理过程中,为了评价化学处理和热清洗的效果,利用X射线光电子谱分析了不同阶段的光电阴极表面状况。结果表明,开始处理前,表面存在严重的C、O污染,C的表面覆盖率接近2个单原子层,而O稍小于1个单原子层,并且表面生成Ga_2O_3氧化层。经2:2:1的H_2SO_4:H_2O_2:H_2O混合溶液化学腐蚀处理后,C的表面覆盖率为0.36个单原子层,O的覆盖率为0.21个单原子层,化学腐蚀去除了大部分的C、O污染,露出了体材料。700℃高温热处理后,表面的C覆盖率低于百分之一个单原子层,而O的覆盖率也仅为0.07个单原子层,基本去除了C、O污染,并且表面Ga:N比为1.01:1,达到体材料的理想配比。GaN光电阴极在H_2SO_4/H_2O_2混合溶液中腐蚀15 min并在700℃下真空热清洗30min后,可以有效去除C、O污染和氧化物,获得洁净表面,进行Cs-O激活后可以获得负电子亲和势。; 冯刘石峰苗壮程宏昌师宏立高翔王龙牛森; 关键词：GAN X射线光电子谱化学腐蚀

皮秒级快响应探测器研究的最新进展: 2016年; 越来越多的民用与军事需求极大促进了皮秒级快响应探测器的蓬勃发展。皮秒级快响应探测器具有高灵敏度、快响应速度、高精度等优点，对放射及高速现象的探测和高能物理学等学科领域具有重要意义。本文重点介绍了太赫兹、x射线等六类皮秒级快响应探测器，并阐释了其快响应原理，以期为皮秒级快响应探测器相关调研提供参考。; 陈畅李丹张妮杨晓军李世龙刘晖牛森苗壮; 关键词：快响应探测器

GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析被引量：1: 2013年; GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化;GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而GaAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例。Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90。; 冯刘张连东刘晖程宏昌高翔陈高善史鹏飞苗壮; 关键词：GAAS X射线光电子能谱刻蚀速率

SiO_2对多层GaN外延片热应力分布影响的仿真分析: 2016年; 为了研究SiO_2对多层结构GaN外延片的热应力的影响,以直径d为Φ40mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法分别对蓝宝石/AlN/GaN和蓝宝石/SiO_2/AlN/GaN这两种光阴极组件外延片表面热应力进行理论计算和仿真。在其他结构参数相同的情况下,分别分析了两种光阴极组件外延片径向和厚度方向的应力分布,分析了外延片热应力分布及影响因素。分析结果显示:在1 200℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,厚度方向的热应力均在衬底和外延层的界面上发生突变。最后分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和GaN、AlN过渡层厚度对表面热应力的影响。; 陈靖程宏昌吴玲玲冯刘苗壮; 关键词：热应力有限元仿真

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苗壮