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唐健

作品数:51 被引量:11H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信机械工程文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 37篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 15篇振荡器
  • 15篇光电振荡器
  • 12篇滤波器
  • 10篇氮化镓
  • 9篇调制
  • 9篇相位
  • 8篇迁移率
  • 7篇调制器
  • 7篇频谱
  • 7篇相位调制
  • 7篇相位调制器
  • 7篇晶体管
  • 7篇光子
  • 6篇侦测
  • 6篇侦测系统
  • 6篇微波光子
  • 6篇微波光子滤波...
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇铝镓氮
  • 5篇光滤波器

机构

  • 40篇中国科学院
  • 16篇盐城师范学院
  • 3篇南京电子器件...
  • 2篇盐城泰克科技...
  • 1篇黑龙江大学
  • 1篇大亚湾核电运...

作者

  • 51篇唐健
  • 22篇李明
  • 22篇祝宁华
  • 16篇王晓亮
  • 15篇郝腾飞
  • 13篇肖红领
  • 11篇王翠梅
  • 11篇李伟
  • 6篇胡国新
  • 5篇马志勇
  • 4篇李晋闽
  • 4篇冉学军
  • 4篇刘宇
  • 4篇王占国
  • 4篇罗卫军
  • 3篇冉军学
  • 3篇冯春
  • 3篇陈堂胜
  • 3篇张明兰
  • 2篇姜丽娟

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇电子测量技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇红外技术
  • 1篇中国现代教育...
  • 1篇安徽电气工程...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 4篇2021
  • 11篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
傅里叶域锁模光电振荡器
一种傅里叶域锁模光电振荡器,包括激光光源、相位调制器、光陷波滤波器、光电探测器、电放大器和功分器;其中,激光光源、相位调制器、光陷波滤波器和光电探测器一起组成扫频微波光子滤波器,所述扫频微波光子滤波器的通频带由激光光源和...
李明郝腾飞唐健石暖暖李伟祝宁华
文献传递
核电站板式换热器污垢热阻长时预测方法被引量:2
2021年
核电站对板式换热器使用需求正逐步上升,现有的污垢热阻预测模型泛化能力较低,时序序列角度设计方案较少。针对国内某核电站1号机组的RRI/SEC换热器的实验数据进行主成分分析,优化长短期记忆神经网络设计模型来预测瞬时污垢热阻,覆盖12条管道温度和4条管道流量等变量。模型可精确预测未来25天内的污垢清洗需求,精度可达99.35%,能够在实际使用中,减少换热器监测的人力成本,以提前对板式换热器部分机组停机清洗,增加使用周期和整体机组换热效率。
唐健肖明轩侯晔沈超徐华冯春
关键词:板式换热器
集成光电振荡器
一种集成光电振荡器,包括:一光电子芯片和一电子芯片,其中光电子芯片中的电光转换器的输入端与电子芯片中的第二偏置器的输出端连接;该光电子芯片中的光电探测器的输出端与电子芯片中的第一偏置器的输入端连接;该光电子芯片和电子芯片...
李明唐健郝腾飞祝宁华
文献传递
快速扫频的傅里叶域锁模光电振荡器
本发明公开了一种快速扫频的傅里叶域锁模光电振荡器,包括:激光器,用于发出的单一频率且连续的光波;调制器,对来自激光器的光波进行调制,经调制后的信号包括光载波和上下边频;可调陷波滤波器,陷波位置对应从相位调制器输出的已调波...
李明郝腾飞唐健石暖暖祝宁华
文献传递
压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置
一种压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置,包括:一激光器;一光调制器,其输入端与激光器的输出端连接;一压电陶瓷,该压电陶瓷为中空的圆柱体;一光纤环,其紧密缠绕在压电陶瓷的外表面,该光纤环包括一输入端与一输出端,其输入端...
李明唐健邓晔祝宁华
文献传递
氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构,包括:一衬底;一低温成核层制作在衬底的上面;一氮化镓高阻层制作在低温成核层的上面;一铟镓氮插入层制作在氮化镓高阻层的上面;一低温氮化镓隔离层制作在铟镓氮插入层的上面;一高迁移率氮化镓层...
王晓亮唐健肖红领王翠梅冉学军胡国新李晋敏
文献传递
硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片
本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片,该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括:2个单模垂直耦合光栅,2个调制模块,1个2×1多模干涉耦合器,1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双...
李明唐健刘宇袁海庆祝宁华
文献传递
拍频式频谱侦测系统
一种拍频式频谱侦测系统,包括扫频光源、相位调制器、光滤波器、光纤、光电探测器、功分器、电放大器、合路器、电滤波器、示波器和待测信号源;其中,所述扫频光源、相位调制器、光滤波器、光纤、光电探测器和电放大器一起构成一环形的光...
李明郝腾飞唐健石暖暖李伟祝宁华
文献传递
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法,包括以下步骤:在衬底上生长氮化镓成核层;在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层;在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层;在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层;在氮...
王晓亮张明兰肖红领王翠梅唐健冯春姜丽娟
SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件
2008年
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。50mmHEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2mm栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460mS/mm。利用内匹配技术对两个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3%。
王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件
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