李明
- 作品数：272 被引量：20H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 激光器的调频线性度优化方法和调频线性度优化系统
- 本公开提供了一种激光器的调频线性度优化方法和激光器的调频线性度优化系统，该方法包括：通过随时序变化的第一驱动电压使得在增益芯片上加载第一驱动信号，且外腔芯片不加载信号，使得激光器输出第一光信号；通过随时序变化的第二驱动电...
- 陈伟张煜浩刘艺穆春元李明祝宁华
- 基于光电振荡器的光脉冲产生装置
- 一种基于光电振荡器的光脉冲产生装置，包括：一激光器；一调制器，其输入端与激光器的输出端连接；一半导体光放大器，其输入端与调制器的输出端连接；一耦合器，其输入端与半导体光放大器的输出端连接，其第一输出端与连接有一光采样示波...
- 李明黄宁博邓晔祝宁华
- 文献传递
- 基于时域泰伯效应的时域隐身系统
- 本发明公开了一种基于时域泰伯效应的时域隐身系统，属于光通信技术领域。该时域隐身系统包括：信号发生器件，用于产生光脉冲并调制上信号；隐身器件，用于引入符合<Image file="DDA000174320360000001...
- 李明林志星孙术乾祝宁华
- 一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器
- 本发明公开了一种基于半导体光放大器的有源光学时间积分器，包括一个具有高的净模增益系数的半导体光放大器和半导体光放大器两端面所镀的高反射率薄膜，所述半导体光放大器工作在法布里‑珀罗模式下。本发明能够对任意输入光信号进行积分...
- 李明黄宁博祝宁华李伟王礼贤
- 文献传递
- 高集成度光子芯片结构
- 本发明提供了一种高集成度光子芯片结构，涉及集成光学技术领域，包括：第一光子芯片，包括顶层功能层（201）、上层二氧化硅绝缘层（202）和硅衬底（203）；第二光子芯片，包括底层功能层（205）、下层二氧化硅绝缘层（204...
- 李明李方萍谢毓俊杨先超任之良赵志勇孙雨舟李伟祝宁华
- 可编程伊辛机及组合优化问题和密码学问题的解决方法
- 本发明提供一种可编程伊辛机及组合优化问题和密码学问题的解决方法，可编程伊辛机包括：依次环形连接的第一电光调制器、长光纤、光电探测器、编程模块及混频器；激光脉冲产生装置，连接第一电光调制器的输入；本振源，连接混频器的输入。...
- 李明孟瑶郝腾飞孟祥彦岑启壮石暖暖李伟
- 光电探测器频率响应的测量系统
- 本发明公开了一种光电探测器频率响应的测量系统，包括：一光脉冲发生器；一可编程光滤波器；一色散光纤；一待测光电探测器；一采样示波器；一计算机。该系统利用光脉冲发生器产生宽谱光脉冲信号，通过滤波整形及色散，实现波形从频域到时...
- 李明邓晔祝宁华刘建国刘宇
- 文献传递
- 基于光子引线的光子晶体光纤及其制备方法
- 本发明提供了一种基于光子引线的光子晶体光纤，所述光子晶体光纤包括：芯层、光子晶体包层和外包层；其中，所述外包层包裹住所述光子晶体包层、所述光子晶体包层包裹住所述芯层形成所述光子晶体光纤。本发明的光子晶体光纤的芯层折射率低...
- 翟鲲鹏王欣孙文惠袁海庆白金花李明祝宁华
- 表面光栅垂直腔面发射激光器偏振特性研究
- 2022年
- 研究了表面光栅结构对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制作用。引入表面光栅后,对不同刻蚀深度下的偏振相关的镜面损耗进行了仿真,结果表明表面光栅刻蚀深度在44~130 nm范围内均可实现稳定偏振,具有较大的工艺容差。表面光栅VCSEL在基横模工作状态下偏振抑制比(Orthogonal Polarization Suppression Ratio, OPSR)超过20 dB,偏振光谱峰间偏振抑制比达到40 dB,且在多横模状态也实现了有效的偏振控制。为了进一步验证光栅对偏振控制的效果,制作了方向互相垂直的两种表面光栅,具有这两种方向光栅的VCSEL的OPSR均达20 dB以上。测试分析表明表面光栅是VCSEL实现稳定偏振的一种有效手段。
- 李明李耀斌邱平平颜伟年贾瑞雯阚强
- 关键词：垂直腔面发射激光器偏振控制
- 894 nm高温工作氧化限制型基横模VCSEL研究被引量：2
- 2022年
- 针对芯片原子钟(铯)用激光光源系统对垂直腔面发射激光器(VCSEL)模式及工作温度的需求,研制出可以高温工作的氧化限制型基横模894.6 nm VCSEL。通过缩小VCSEL氧化孔直径至3μm,限制VCSEL高阶横模激射,保证器件基横模低阈值电流工作。通过常温下腔模与材料增益失谐12 nm的结构设计,使器件能够在50~65℃高温时,激射波长对准原子能级且工作模式稳定。实验所制备的VCSEL在工作温度为55℃、注入电流1.8 mA时,激射波长达到894.6 nm,边模抑制比(SMSR)大于35 dB,基横模功率为0.75 mW,具有11.4°的远场发射角。当温度为65℃时,器件SMSR大于25 dB,基横模功率大于0.1 mW。该高温基横模工作的VCSEL在芯片原子钟中具有重要的应用前景。
- 王秋华李明邱平平庞伟解意洋阚强徐晨
- 关键词：垂直腔面发射激光器基横模高温铯原子钟
