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曹建强

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇电流
  • 7篇逻辑器件
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 5篇源区
  • 5篇本征
  • 4篇金属栅
  • 3篇低K介质
  • 3篇芯片
  • 3篇超大规模集成
  • 3篇超大规模集成...
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电场线
  • 2篇电路芯片
  • 2篇杨氏模量
  • 2篇氧化层
  • 2篇迂回
  • 2篇载流子

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇曹建强
  • 13篇王向展
  • 7篇夏琪
  • 4篇刘葳
  • 3篇李竟春
  • 2篇张易
  • 2篇于奇
  • 2篇罗谦
  • 2篇李竞春
  • 2篇廖宇龙
  • 2篇孙占杰
  • 2篇谢林森

年份

  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于集成电路芯片自毁结构
该发明公开了一种用于集成电路芯片自毁结构，结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GP...
王向展夏琪廖宇龙罗谦曹建强
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一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管
本发明提出了一种具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域。本发明具有电场集中效果增强开态电流的隧穿场效应晶体管包括半导体衬底1、源区2、本征区3、漏区4、栅氧层5、金属栅6、侧墙9，还包括位于本...
王向展刘葳张易孙占杰曹建强于奇
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基于电场集中的高Ion与低Ioff TFET结构设计研究
随着MOSFET器件尺寸不断的缩小，除了带来芯片集成度的提高之外，也促使短沟道效应出现，导致器件关断时泄漏电流增大，而集成度进一步的提高更加使得功耗问题越发突出。为了解决芯片的功耗问题，一方面研究人员在设计电路时就会考虑...
曹建强
关键词：MOSFET器件集成电路CMOS工艺芯片设计
一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管
本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，具体为一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管。本发明中，通过源区与漏区之间设低K介质区增大源区与本征区之间电场，提高开态电流和抑制关态电流。设置掺杂层与衬底形成反偏的PN...
王向展曹建强马阳昊夏琪李竟春
一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管
本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，具体为一种增加电流开关比的隧穿场效应晶体管。本发明中，通过源区与漏区之间设低K介质区增大源区与本征区之间电场，提高开态电流和抑制关态电流。设置掺杂层与衬底形成反偏的PN...
王向展曹建强马阳昊夏琪李竟春
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一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管
该发明公开了一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域。利用N型漏区或者P型源区与N型外延层之间的短接，共享高电位，从而使得N型埋层与N型源区或者P型漏区、本征区、P型衬底形成的PN...
王向展曹建强马阳昊李竞春
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一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管
该发明公开了一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域。利用N型漏区或者P型源区与N型外延层之间的短接，共享高电位，从而使得N型埋层与N型源区或者P型漏区、本征区、P型衬底形成的PN...
王向展曹建强马阳昊李竞春
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一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管
一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路中的逻辑器件与电路领域。本发明隧穿场效应晶体管在源区顶部通过InN或In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N材料形成极化隧穿层，利用InN或I...
王向展马阳昊曹建强谢林森夏琪归转转
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纵向隧穿场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明提供了一种纵向隧穿场效应晶体管，能够在不增大器件泄漏电流的同时增大器件开态电流，其技术方案可概括为：纵向隧穿场效应晶体管由缓冲层设置在半导体衬底上方，源区、本征区及漏区分别设置于缓冲层上方，外...
王向展刘葳曹建强
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纵向隧穿场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明提供了一种纵向隧穿场效应晶体管，能够在不增大器件泄漏电流的同时增大器件开态电流，其技术方案可概括为：纵向隧穿场效应晶体管由缓冲层设置在半导体衬底上方，源区、本征区及漏区分别设置于缓冲层上方，外...
王向展刘葳曹建强
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