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氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备被引量：2: 2017年; GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为栅控器件,具有AlGaN/GaN异质结处高浓度的二维电子气(2DEG)及对表面态敏感等特性,在栅位置处与感光功能薄膜的结合是光探测器领域重要的研究方向之一.本文首先提出在GaN基HEMT栅电极上引入光敏材料锆钛酸铅(PZT),将具有光伏效应的铁电薄膜PZT与HEMT栅极结合,提出一种新的"金属/铁电薄膜/金属/半导体(M/F/M/S)"结构;然后在以蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延片上制备感光栅极HEMT器件.最后,通过PZT的光伏效应来调控沟道中的载流子浓度和通过源漏电流的变化来实现对可见光和紫外光的探测.在365 nm紫外光和普通可见光条件下,对比测试有/无感光栅极的HEMT器件,在较小V_(gs)电压时,可见光下测得前者较后者的饱和漏源电流I_(ds)的增幅不下降,紫外光下前者较后者的I_(ds)增幅大5.2 mA,由此可知,感光栅PZT在可见光及紫外光下可作用于栅极GaN基HEMT器件并可调控沟道电流.; 朱彦旭宋会会王岳华李赉龙石栋; 关键词：锆钛酸铅光探测

溅射制备不同厚度Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜结晶态的研究被引量：1: 2017年; 研究了射频磁控溅射的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT52/48)薄膜在退火晶化时,厚度对其结晶态及表面形貌的影响。首先利用Materials Studio软件对PZT分子进行了模拟,并模拟了X射线衍射(XRD)得到PZT的特征峰图;实验上,采用退火炉对不同厚度的PZT(52/48)薄膜进行了不同温度及时间的退火;接着采用XRD对各样片薄膜进行了结晶物相分析;采用FIB对部分样片薄膜表面形貌进行了观察。实验结果显示,薄膜的厚度及退火条件在一定程度上对其结晶态的影响是一致的;对于一定厚度的薄膜,合适且相同的退火(650℃)条件都可以使其形成单一的PZT(52/48)物相;二次退火对较厚薄膜结晶化有一定的作用,但随着溅射薄膜厚度的增加而累加了内应力,退火后形成有PZT(52/48)物相的较厚薄膜表面出现裂纹越明显。; 朱彦旭王岳华宋会会邹德恕李莱龙石栋; 关键词：射频磁控溅射

GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究: 2016年; 为了深入研究氮化镓薄膜的压电效应和机械特性,基于气体直接吸收红外辐射的原理,将基于氮化镓悬空隔膜的充气微腔红外传感器项目作为背景,以氮化镓/铝镓氮薄膜作为敏感单元,在材料力学以及压电效应方面,采用有限元分析软件ANSYS 14.0进行了理论分析和验证,取得了薄膜形状、厚度和面积等尺寸与压电薄膜输出电压以及薄膜灵敏度的逻辑关系数据,验证了薄膜力-电信号转换机制可行性。结果表明,GaN薄膜材料具有良好的压电特性以及线性度,有助于对探测器输出信号进行准确的预测,并进行温度补偿,突出GaN材料在应用中的优势。此研究对设计性能良好、灵敏度高的微腔红外传感器是有帮助的。; 朱彦旭杜志娟刘飞飞于宁王岳华宋会会王红航; 关键词：输出电压 ANSYS 压电效应

高压LED阵列电学特性的优化方法的研究: 2016年; 高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。; 王红航杜志娟刘飞飞于宁朱彦旭王岳华宋会会曹伟伟; 关键词：氮化镓电极参数光输出功率电学特性

一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法: 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，...; 朱彦旭刘飞飞杜志娟郭伟玲于宁邓叶王岳华宋会会; 文献传递

基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展被引量：4: 2016年; GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器,对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结;而后,着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度,阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展,其中,从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器;最后,探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。; 朱彦旭王岳华宋会会李赉龙石栋; 关键词：ALGAN/GAN异质结 2DEG 栅结构光探测器

GaN HEMT器件结构的研究进展被引量：5: 2015年; Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。; 于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷; 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓高频

一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法: 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，...; 朱彦旭刘飞飞杜志娟郭伟玲于宁邓叶王岳华宋会会

多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响被引量：1: 2016年; 研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响Ti N的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态。; 于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷; 关键词：高电子迁移率晶体管欧姆接触比接触电阻率

感光栅极调控2DEG的GaN基HEMT的制备与研究: GaN基HEMT的AlGaN/GaN异质结界面处高二维电子气(2DEG)浓度易受表面态的控制,GaN基HEMT集成功能薄膜影响表面态电荷从而调控2DEG,实现特定探测是当前探测器领域重要研究方向之一。锆钛酸铅(PZT)薄...; 王岳华; 关键词：光探测; 文献传递

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