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古云飞

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 5篇半导体
  • 3篇电导调制
  • 3篇双极型
  • 3篇双极型晶体管
  • 3篇漂移区
  • 3篇晶体管
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇关断
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电子注入
  • 2篇阴极
  • 2篇元胞
  • 2篇源区
  • 2篇三层结构
  • 2篇损耗
  • 2篇总剂量
  • 2篇晶闸管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇古云飞
  • 9篇张波
  • 9篇陈万军
  • 9篇程武
  • 8篇李震洋
  • 7篇刘超
  • 2篇肖琨
  • 2篇蒋华平
  • 2篇杨骋

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 3篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅...
陈万军李震洋蒋华平刘超古云飞程武张波
一种槽栅双极型晶体管
本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是在常规的CSTBT载流子储存层中插入数个贯穿载流子存储层的掺杂浓度较高的P型条。与常规CSTBT相比，插入的P型条能对槽栅边缘附近的电场进...
陈万军刘超娄伦飞唐血锋程武古云飞张波
文献传递
一种功率器件结终端结构
本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场...
陈万军古云飞刘超程武李震洋张波
IGBT的辐照效应仿真分析与加固研究
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)以其优良的频率特性和控制能力成为电力电子技术领域广泛关注的对象。其具有的MOS栅和双极型晶体管混合结构使得其具有了更好的导通压降、开关频率折中...
古云飞
关键词：IGBT器件总剂量效应单粒子效应
一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P-N结两层结构，相对于常规MGT阴极P-N-P三层结构，本发明的阴极P-N结两层结构使用两重扩散...
陈万军刘超古云飞程武李震洋肖琨杨骋张波
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P-body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中...
陈万军程武古云飞李震洋张波
文献传递
一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅...
陈万军李震洋蒋华平刘超古云飞程武张波
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一种功率器件结终端结构
本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场...
陈万军古云飞刘超程武李震洋张波
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一种MOS栅控晶闸管的制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P‑N结两层结构，相对于常规MGT阴极P‑N‑P三层结构，本发明的阴极P‑N结两层结构使用两重扩散...
陈万军刘超古云飞程武李震洋肖琨杨骋张波
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一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P‑body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中...
陈万军程武古云飞李震洋张波
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