您的位置： 专家智库 > >

胡成

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇导体
  • 4篇多晶
  • 4篇金属半导体
  • 4篇金属栅
  • 4篇半导体
  • 3篇金属薄膜
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻技术
  • 3篇MOS器件
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线结构
  • 1篇电损耗
  • 1篇性能参数
  • 1篇整体性能
  • 1篇微波
  • 1篇离子
  • 1篇介电
  • 1篇介电损耗
  • 1篇化合物

机构

  • 7篇复旦大学

作者

  • 7篇胡成
  • 6篇张卫
  • 6篇朱志炜
  • 6篇张世理
  • 6篇朱伦
  • 6篇吴东平

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 4篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
纳米线结构的制备方法
本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发...
吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
文献传递
纳米MOS器件制备方法及纳米MOS器件
本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表...
吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
文献传递
一种非对称栅MOS器件及其制备方法
本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的...
吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
文献传递
纳米线结构的制备方法
本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发...
吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
文献传递
一种非对称栅MOS器件及其制备方法
本发明公开了一种非对称栅MOS器件，其栅极为金属栅，且所述金属栅的功函数在所述MOS器件的源端与漏端不同，从而使得MOS器件的整体性能参数更加优化；同时，还公开了一种非对称栅MOS器件的制备方法，该方法通过对MOS器件的...
吴东平胡成朱伦朱志炜张世理张卫
微波退火条件下Ni(Si,Ge)薄膜的表征分析与微波退火的理论研究
微波退火作为一种可以降低热预算的新兴的退火方式，近年来受到了越来越多的关注，在杂质激活、非晶硅结晶以及硅化物形成等方面都有广泛的研究，并获得了许多有意义的成果。比如在较低的温度下实现杂质激活，而杂质的扩散较RTP却有明显...
胡成
关键词：硅化物介电损耗
一种MOS器件及其制备方法
本发明公开了一种MOS器件，其栅极包括多晶半导体层及位于所述多晶半导体层两侧侧壁上的金属半导体化合物，由于其栅极包括部分的金属半导体化合物(即包括部分的金属栅)，因而可降低多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；同时，...
吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0