朱志炜
- 作品数：40 被引量：53H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型被引量：2
- 2006年
- 分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法得到电子能量弛豫时间和电子高场迁移率与电子能量的关系表达式,并使用上述模型进行了ESD器件仿真,与实验结果的对比显示,使用该能量弛豫时间模型和高场迁移率模型可以得到准确的器件I-V曲线.
- 朱志炜郝跃张金凤方建平刘红侠
- 关键词：静电放电速度过冲
- SoC中的IP核同步设计方法被引量：3
- 2007年
- 基于对IP核复用的集成效率考虑,针对片上系统的设计特点构造了一种新型的IP核模型.该模型包括用于描述IP核的延迟信息的时序接口模块、多时钟域适应的再同步接口模块和IP功能描述模块.然后给出了该模型在片上系统中的集成方法.实际电路综合结果表明,和现有IP核集成相比,应用该模型进行片上系统集成,设计效率可以提高近30%,性能提高约15%.
- 史江一郝跃朱志炜潘伟涛
- 关键词：片上系统
- 金属半导体化合物薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜的制备方法，该方法通过在PVD沉积金属层的过程中，将靶材的一部分离化成离子状态，使其产生金属离子；并在半导体衬底上加衬底偏压，使得所述金属离子加速向所述半导体衬底运动，并进入所述半导体...
- 吴东平张世理朱志炜张卫
- 文献传递
- 超长半导体纳米线结构及其制备方法
- 本发明公开了一种超长半导体纳米线结构，所述超长半导体纳米线结构的宽度间隔地加宽，从而可防止所述超长半导体纳米线结构断裂；同时，本发明还公开了一种超长半导体纳米线结构的制备方法，该方法通过光刻及刻蚀，形成宽度间隔加宽的超长...
- 吴东平张世理朱志炜张卫
- 文献传递
- 超深亚微米CMOS器件ESD可靠性研究
- 在IC/(集成电路/)工业中,ESD/(Electro-Static Discharge,静电放电/)是影响IC芯片可靠性的主要因素之一,已经成为开发新一代工艺技术的一个难点。在超深亚微米工艺下,缺乏对ESD损伤失效物理...
- 朱志炜
- 关键词：静电放电传输线脉冲
- 文献传递
- 压电能量收集器件基于有限元仿真比较和研究被引量：1
- 2012年
- 利用压电材料制作的器件采集环境中的振动能量,并转化为电能的微尺度器件正日益受到广泛关注。通过有限元仿真分析,研究了新颖的垂直式纳米线阵列结构(VING)和常见的压电悬臂梁结构的能量收集性能。在更贴近实际情况的低频条件下计算了75 000根纳米线阵列结构和压电悬臂梁结构的输出电压以及单位体积能量输出功率,并指出了其各自的特点。最后得出结论:VING更适于在振动强度较大的环境中工作,而悬臂梁结构则更适于在接近其谐振频率的环境中工作。
- 朱伦朱志炜张卫吴东平
- 关键词：压电效应有限元分析悬臂梁谐振频率
- 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应被引量：4
- 2007年
- 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
- 孟志琴郝跃唐瑜马晓华朱志炜李永坤
- 关键词：X射线总剂量效应
- 一种晶体管的制造方法
- 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所...
- 吴东平罗军朴颖华朱志炜张世理张卫
- 文献传递
- 等离子体工艺引起的MOSFET栅氧化层损伤被引量：2
- 2003年
- 在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。
- 朱志炜郝跃赵天绪张进城
- 关键词：MOSFET半导体器件等离子体损伤天线结构集成电路
- 纳米线结构的制备方法
- 本发明公开了一种纳米线结构的制备方法，该方法通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线，由于本发...
- 吴东平朱伦胡成朱志炜张世理张卫
- 文献传递
