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樊双

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇网络
  • 3篇ESD
  • 3篇两级保护
  • 2篇SOI
  • 1篇地线
  • 1篇电路
  • 1篇电阻
  • 1篇动态阈值
  • 1篇阈值
  • 1篇外接电阻
  • 1篇内部电路
  • 1篇接地线
  • 1篇接电
  • 1篇护网
  • 1篇二极管
  • 1篇放电
  • 1篇放电过程
  • 1篇保护网络

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇胡志远
  • 3篇邹世昌
  • 3篇宁冰旭
  • 3篇张正选
  • 3篇彭超
  • 3篇樊双

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种SOI ESD两级保护网络
本发明提供一种SOIESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括缓冲电阻、PMOS晶体管、NMOS晶体管以及偏置电阻，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接...
宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
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一种SOI ESD两级保护网络
本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述...
宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
文献传递
一种SOI ESD两级保护网络
本发明提供一种SOI ESD两级保护网络，包括：第一级保护网络，由第一二极管及第二二极管组成；第二级保护网络，包括PMOS晶体管、外接电阻、缓冲电阻和硅控整流器，其中，所述缓冲电阻的第一端接保护网络的输入端，第二端接所述...
宁冰旭张正选胡志远彭超樊双邹世昌
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