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郑金红

作品数:17 被引量:84H指数:8
供职机构:北京科华微电子材料有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信化学工程经济管理理学更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇经济管理
  • 3篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 14篇光刻
  • 14篇光刻胶
  • 4篇电路
  • 4篇组合物
  • 3篇树脂
  • 3篇集成电路
  • 3篇感光
  • 3篇感光剂
  • 2篇氮化合物
  • 2篇电子化学品
  • 2篇化合物
  • 2篇化学品
  • 2篇光刻技术
  • 2篇光敏剂
  • 2篇光能
  • 2篇光致
  • 2篇含氮
  • 2篇含氮化合物
  • 2篇成膜
  • 2篇成膜树脂

机构

  • 9篇北京科华微电...
  • 8篇北京化学试剂...
  • 2篇清华大学
  • 2篇上海彤程电子...
  • 2篇彤程新材料集...
  • 2篇北京科华丰园...
  • 1篇兰州大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 17篇郑金红
  • 4篇黄志齐
  • 2篇侯宏森
  • 2篇文武
  • 2篇焦小明
  • 2篇杨澜
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇姜永睿
  • 1篇王红杰
  • 1篇谢二庆
  • 1篇杨沁清
  • 1篇陈昕
  • 1篇郝志强
  • 1篇朱玉俊
  • 1篇王艳梅
  • 1篇穆启道
  • 1篇刘世龙
  • 1篇李绍玲
  • 1篇李冰
  • 1篇侯宏森

传媒

  • 4篇精细与专用化...
  • 2篇感光科学与光...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇精细化工
  • 1篇弹性体
  • 1篇影像科学与光...
  • 1篇2006全国...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇1993
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光刻胶的发展及应用
本文主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向.
郑金红
关键词:集成电路光刻胶光刻技术成膜树脂感光剂
文献传递
光刻胶的发展及应用被引量:33
2006年
主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。
郑金红
关键词:集成电路光刻胶感光剂
ULSI用193nm光刻胶的研究进展被引量:12
2005年
从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。
郑金红黄志齐文武
关键词:光刻胶
一种正型光刻胶组合物及正型光刻胶显影工艺
本发明提供了一种正型光刻胶组合物及一种正型光刻胶显影工艺步骤。所述正型光刻胶组合物包含聚合物(A)、光致产酸剂(B)、溶剂以及添加剂,同时所述正型光刻胶组合物还包括了光敏剂(C)和含氮化合物(D),它能够吸收波长为365...
郑金红陈昕罗杰·森特李冰韩现涛
文献传递
一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法
本发明涉及光刻胶技术领域,尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物,包括如下组分:聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂;聚合物包括聚合物A,...
郑金红孙嘉房彩琴陈崇明李冰陈欣王文芳董栋张宁
溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究被引量:9
2004年
采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶 -凝胶 ,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料 ;用该凝胶在硅片上提拉成膜 .为了增加薄膜与硅片的粘附性 ,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为 15 0 0 的二氧化硅 ;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整 ,在 5× 5 μm2 的范围内最大表面起伏只有 0 .6 5 7nm 利用波导阵列掩膜版 ,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光 ,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列 研究发现 :紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大 .通过对样品红外吸收谱的分析 。
姜永睿胡雄伟杨沁清王红杰杨澜郑金红谢二庆
关键词:SIO2薄膜折射率红外光谱波导
I-Line光刻胶材料的研究进展被引量:11
2012年
酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436nm)、i-line(365nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-line时,为适应对应的曝光波长以及对高分辨率的追求,酚醛树脂及感光剂的微观结构均有变化.在i-line光刻胶中,酚醛树脂的邻-邻′相连程度高,感光剂酯化度高,重氮萘醌基团间的间距远.溶解促进剂是i-line光刻胶的一个重要组分,本文对其也进行了介绍.
郑金红
关键词:光刻胶酚醛树脂感光剂
我国光刻胶的市场现状及发展趋势被引量:7
2009年
现代微电子技术按照摩尔定律在不断发展.光刻技术也经历了从G线(436nm),I线(365nm),到深紫外248nm.及目前的193nm光刻的发展历程.相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生.光刻胶中的关键组分,如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生变化.使光刻胶的综合性能能更好地满足集成工艺制程要求。目前集成电路制作中使用的主要光刻胶见表1。
郑金红
关键词:光刻胶微电子技术光刻技术成膜树脂
BP-215紫外正型光刻胶和BN-310紫外负型光刻胶
马存恕黄志齐胡德甫郑金红刘世龙李绍玲焦小明郝志强王悦等
一、成果内容简介:1.成果内容简介:紫外光刻胶是电子工业中大规模集成电路微细加工过程中不可缺少的基础性关键材料,其应用性能的优劣直接影响着电路线宽的粗细和成品率的高低。它又分为紫外正型光刻胶和紫外负型光刻胶。(1)BP-...
关键词:
关键词:集成电路材料光刻胶
193nm光刻胶的研制被引量:8
2005年
从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性.
郑金红黄志齐陈昕焦小明杨澜文武高子奇王艳梅
关键词:光刻胶
共2页<12>
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