您的位置： 专家智库 > >

刘清军

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇氧化层
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇开关特性
  • 3篇空间电荷区
  • 3篇功率晶体管
  • 3篇MOS结构
  • 2篇数据曲线
  • 2篇特性参数
  • 1篇优化设计
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇快恢复二极管
  • 1篇高压大电流
  • 1篇工艺技术
  • 1篇二极管

机构

  • 6篇江苏宏微科技...

作者

  • 6篇刘清军
  • 6篇刘利峰
  • 6篇赵善麒
  • 4篇张景超
  • 2篇巩鹏亮
  • 1篇王晓宝
  • 1篇姚天保
  • 1篇戚丽娜

传媒

  • 1篇2008年中...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 4篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
如何正确理解FRED和FRD的特性参数
本文针对FRD（Fast Recovery Diode）和FRED(Fast Recovery Epitaxial Diode)产品的特性参数，以江苏宏微科技有限公司模块封装的FRED 产品参数表为例详细解释了快恢复二极...
巩鹏亮刘清军刘利峰赵善麒
关键词：数据曲线快恢复二极管
文献传递
MOS结构的功率晶体管
本实用新型涉及一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层、绝缘介质层、多晶硅层、栅氧化层和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层，多晶硅层一端与相邻多晶硅层之间的有源区原胞具有引线孔，金属层延伸至引线孔与第三掺杂层和第二掺杂层相...
张景超刘利峰刘清军赵善麒
文献传递
高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化
赵善麒刘利峰戚丽娜王晓宝张景超刘清军姚天保麻长胜
项目属电力电子领域。主要技术内容：1、研制成功具有正温度系数、高短路能力、高雪崩耐量和低功耗的15-100A、1200V 绝缘栅双极晶体管（IGBT）管芯:(1)元胞内大面积栅源隔离技术：在栅源之间形成一层抗可移动离子，...
关键词：
关键词：绝缘栅双极晶体管高压大电流优化设计工艺技术
MOS结构的功率晶体管及其制作方法
本发明涉及一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层、绝缘介质层、多晶硅层、栅氧化层和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层，多晶硅层一端与相邻多晶硅层之间的有源区原胞具有引线孔，金属层延伸至引线孔与第三掺杂层和第二掺杂层相接导...
张景超刘利峰刘清军赵善麒
文献传递
MOS结构的功率晶体管及其制作方法
本发明涉及一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层、绝缘介质层、多晶硅层、栅氧化层和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层，多晶硅层一端与相邻多晶硅层之间的有源区原胞具有引线孔，金属层延伸至引线孔与第三掺杂层和第二掺杂层相接导...
张景超刘利峰刘清军赵善麒
文献传递
如何正确理解FRED和FRD的特性参数
本文针对FRD(Fast Recovery Diode)和FRED(Fast Recovery Epitaxial Diode)产品的特性参数,以江苏宏微科技有限公司模块封装的FRED产品参数表为例详细解释了快恢复二极管...
巩鹏亮刘清军刘利峰赵善麒
关键词：数据曲线
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0