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文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇硅外延
  • 2篇平坦度
  • 2篇峭度
  • 2篇外延法
  • 2篇掺砷
  • 2篇掺砷衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇电路
  • 1篇英寸
  • 1篇集成电路
  • 1篇硅外延材料
  • 1篇12

机构

  • 3篇河北普兴电子...

作者

  • 3篇陈秉克
  • 3篇赵丽霞
  • 3篇袁肇耿
  • 3篇田忠元
  • 3篇薛宏伟
  • 1篇高淑红

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
12英寸硅外延材料
陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟田忠元魏毓峰高淑红
硅外延材料属于半导体材料工业,为半导体硅器件特别是各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础,外延材料的制造水平是世界各国集成电路产业是否独立自主的重要标志。随着硅片直径的不断扩大和集成电路特征线宽尺寸的不断减小,外...
关键词:
关键词:硅外延材料集成电路
一种重掺砷衬底的硅外延方法
本发明公开了一种制造硅外延片的方法,即一种重掺砷衬底的硅外延方法。它是在常规“二步外延法”重掺砷衬底硅外延工艺的基础上,在“第二次用大流量H<Sub>2</Sub>冲洗”时,向冲洗的H<Sub>2</Sub>中加入HCl...
陈秉克薛宏伟袁肇耿赵丽霞田忠元
文献传递
一种重掺砷衬底的硅外延方法
本发明公开了一种制造硅外延片的方法,即一种重掺砷衬底的硅外延方法。它是在常规“二步外延法”重掺砷衬底硅外延工艺的基础上,在“第二次用大流量H<Sub>2</Sub>冲洗”时,向冲洗的H<Sub>2</Sub>中加入HCl...
陈秉克薛宏伟袁肇耿赵丽霞田忠元
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