高淑红
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 12英寸硅外延材料
- 陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟田忠元魏毓峰高淑红
- 硅外延材料属于半导体材料工业，为半导体硅器件特别是各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础，外延材料的制造水平是世界各国集成电路产业是否独立自主的重要标志。随着硅片直径的不断扩大和集成电路特征线宽尺寸的不断减小，外...
- 关键词：
- 关键词：硅外延材料集成电路
- 重掺磷衬底上外延层生长工艺研究被引量：5
- 2012年
- 重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品。重掺磷衬底外延片可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例。介绍了重掺磷外延片的一种实用生产技术,在高浓度衬底外延后失配现象、杂质外扩抑制方法、减少外延过程中衬底磷杂质的挥发等方面进行了研究。在研究的基础上使用CSD公司的EpiPro5000型外延设备进行工艺试验,采用盖帽层分层生长、变流量赶气和低温度生长等工艺条件控制磷杂质的扩散和挥发,从而减少自掺杂效应,获得良好的电阻率均匀性和陡峭的外延层过渡区。试验结果已成功应用于大规模生产,得到了用户认可。
- 高淑红袁肇耿赵丽霞
- 关键词：正向压降磷掺杂失配
- 200mm快恢复二极管用高性能外延材料
- 陈秉克赵丽霞薛宏伟袁肇耿陈振魁魏毓峰高淑红张志勤张未涛吴会旺
- 该项目开发的200mm快恢复二极管用高性能外延材料，使用掺杂渐变技术，即衬底与第一层间以及两层间采用掺杂逐渐变小的方法，使得掺入外延层的杂质呈递减趋势，即电阻率递增趋势，实现了双层外延过渡区精确可控，且两个外延层平坦，重...
- 关键词：
- 关键词：外延片
- 硅外延工艺与基座的相关性研究被引量：1
- 2012年
- 硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区。实际使用表明,基座边缘热辐射及热量被气流带走使基座两个边缘温度急剧下降,必须对边缘温区进行补偿及装片时避开基座边缘一定距离;高温时Si片通过基座获得热量并发生形变,基座上承载槽的形貌设计必须兼顾厚度匀匀性及Si片高温时形变的方向。研究表明,金属沾污尤其是重金属催化作用及过腐蚀是影响基座寿命的关键因素。
- 高淑红赵丽霞袁肇耿侯志义王艳祥
- 关键词：硅外延位错
