朱健
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InP基InGaAsP高Q环形谐振腔角速度传感器设计
- 采用三维矢量束传播法(BPM)，结合传输矩阵模型，对InP基大尺度InGaAsP无源环形谢振腔优化设计.在考虑吸收损耗、泄露损耗、弯曲损耗、散射损耗前提下，优化出传输损耗为0.31 dB/cm的InGaAsP波导结构，获...
- 朱健张瑞英王凯
- 界面预处理对原子层沉积Al2O3钝化Si纳米结构的影响
- 采用原子层沉积技术(ALD)对Si纳米锥表面进行钝化。在标准沉积和退火条件下考察界面预处理对ALD沉积Al2O3钝化Si纳米锥结构钝化效果的影响。实验结果表明,表面处理对Al2O3钝化Si纳米结构影响显著,获得最佳处理条...
- 朱健张瑞英王岩岩
- 图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
- 2015年
- 使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关。与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关。AFM测试结果表明,提高V/III比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级。微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式。该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础。
- 戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民
- 关键词：表面形貌
