张瑞英
- 作品数：41 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江苏省基础研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自然科学总论一般工业技术更多>>
- 倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法
- 本发明公开了一种倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法，其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成，并通过倒置生长在GaAs衬底上实现GaInP/GaAs/InGa...
- 张瑞英董建荣杨辉
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- 一种外光注入锁定激光器
- 本发明实施例提供一种外光注入锁定激光器，包括形成于同一衬底之上的主激光器、输入输出波导和从激光器；所述主激光器发出的激光通过所述输入输出波导注入所述从激光器，使得从激光器发出激光被主激光器锁定；所述从激光器包括多边形闭合...
- 张瑞英张犇
- 光电子器件及其制作方法
- 本申请公开了一种光电子器件，包括基础衬底、形成于所述基础衬底上的具有高深宽比的介质结构、高深宽比介质结构内的大失配异质半导体材料以及覆盖于正面和背面的电极，其中,所述光电子器件的大失配异质半导体材料至少包括无应变缓冲层、...
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- 倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法
- 本发明公开了一种倒置生长宽谱吸收III-V多结电池的制备方法，其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成，并通过倒置生长在GaAs衬底上实现GaInP/GaAs/InGa...
- 张瑞英董建荣杨辉
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- 环形腔器件及其制作方法
- 本发明提供一种环形腔器件，包括无源环形波导以及与所述无源环形波导平面耦合的输入输出波导，还包括与所述无源环形波导和/或输入输出波导垂直耦合的有源波导结构，所述有源波导结构对无源环形波导提供损耗补偿。本发明还提供一种环形腔...
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- 一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法
- 本发明深入微纳光子技术领域的研究，揭示了一种宽谱广角增透亚波长结构的制备方法，其步骤为先在需要宽谱广角增透的基底材料表面蒸镀一定厚度铝或钛的金属膜；而后放入阳极氧化槽装置中进行完全阳极氧化，形成从基底表面金属氧化物垒层到...
- 张瑞英董建荣杨辉
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- 窄线宽激光器
- 本申请公开了一种窄线宽激光器，包括一无源环形谐振腔、一FP谐振腔和第一增益区，所述无源环形谐振腔与FP谐振腔配合形成M‑Z(马赫‑曾德干涉结构)复合外腔结构，所述M‑Z复合外腔结构至少用于提供波长选择和压窄激光器线宽，所...
- 张瑞英
- 薄膜电池的制作方法以及薄膜电池
- 本发明提供了一种薄膜电池的制作方法以及薄膜电池。所述方法包括如下步骤：在导电衬底上沉积电池层；在电池层上形成纳米光栅制备需要的纳米图案；在上述纳米图案做为掩模的保护下，在电池层的表面形成纳米光栅；在电池层的纳米光栅表面形...
- 张瑞英
- 文献传递
- 用于太阳电池吸收增强的复合微纳光子结构及其制法
- 本发明揭示了一种用于薄膜太阳电池吸收增强的复合微纳光子结构及其制法，该薄膜太阳电池包括表面层及电池基本单元，其特点是在表面层设为具有陷光性能的复合微纳光子结构，且复合微纳光子结构依次包括具有高效陷光功能的微纳光子结构、抑...
- 张瑞英董建荣杨辉
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- Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导高效耦合的容差范围
- 2019年
- Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成的反馈外腔半导体光源及其相关集成器件成为近年来的研究热点,大容差范围是该类器件提高成品率和降低制备成本的有效途径。采用有限差分光束传播法,针对应用于大尺寸Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的双锥形耦合器结构进行了仿真,研究了实现高效耦合结构参数容差范围。结果表明,当Ⅲ-Ⅴ材料有源波导中缓冲层厚度为0.5~0.7μm,有源波导锥形区长度为400~800μm,锥形区尖部宽度为0.5~0.55μm,有源波导增益区宽度为2.9~3.1μm,无源波导锥形区的长度超过500μm,有源波导相对于Si波导的偏移量小于1μm时,Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的耦合效率均可达到90%以上。研究双锥形Ⅲ-Ⅴ/Si波导高效耦合参数的容差范围可为下一步制备出高效耦合的该类大尺寸混合集成器件提供参考。
- 王天甲张瑞英张瑞英
