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俞世勋

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：韩国生产技术研究院更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇电镀
  • 2篇电镀法
  • 2篇压差
  • 2篇粘合
  • 2篇填充金属
  • 2篇全通
  • 2篇接合方法
  • 2篇紧固
  • 2篇紧固装置
  • 2篇晶片
  • 2篇夹具
  • 2篇功能材料
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体晶片
  • 2篇铜

机构

  • 4篇韩国生产技术...

作者

  • 4篇俞世勋
  • 2篇高永基

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法
本发明旨在提供一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法，其目的在于提供一种相对于现有电镀法工序更加简单、方便，可降低工序费用的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法。为此，本发明的金...
俞世勋李昌祐金准基金祯汉金哲熙高永基辛义善
具有用于形成密闭空间的混合接合结构的铜部件及其接合方法
本发明提供了具有密闭空间的铜部件。该铜部件包括主体部和紧固装置。主体部包括由铜制造的上联接板，以及与上联接板联接的下联接板，下联接板由铜制造。在上联接板和下联接板之间形成有密闭空间，密闭空间填充有功能材料。在上联接板和下...
金準基金锺勋金祯汉李昌祐俞世勋金哲熙方政丸高溶浩
文献传递
半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法
本发明旨在提供一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法，其目的在于提供一种相对于现有电镀法工序更加简单、方便，可降低工序费用的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法。为此，本发明的金...
俞世勋李昌祐金准基金祯汉金哲熙高永基辛义善
文献传递
具有用于形成密闭空间的混合接合结构的铜部件及其接合方法
本发明提供了具有密闭空间的铜部件。该铜部件包括主体部和紧固装置。主体部包括由铜制造的上联接板，以及与上联接板联接的下联接板，下联接板由铜制造。在上联接板和下联接板之间形成有密闭空间，密闭空间填充有功能材料。在上联接板和下...
金準基金锺勋金祯汉李昌祐俞世勋金哲熙方政丸高溶浩
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