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钱毅

作品数：7 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术建筑科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇子线
  • 2篇量子
  • 2篇量子线
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇发光
  • 1篇淀积
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱激光...
  • 1篇阈值
  • 1篇外延层
  • 1篇温度
  • 1篇温度关系
  • 1篇量子器件
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇钱毅
  • 4篇陈良惠
  • 3篇肖建伟
  • 3篇张敬明
  • 3篇郑婉华
  • 3篇徐遵图
  • 3篇徐俊英
  • 2篇杨国文
  • 2篇王启明
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇黄绮
  • 1篇崔堑
  • 1篇李立康
  • 1篇郑联喜
  • 1篇王启明
  • 1篇李世祖
  • 1篇周小川
  • 1篇钟战天
  • 1篇周钧铭
  • 1篇杨沁清

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
量子线及其发光器件研究
钱毅
关键词：发光器件
ＭＯＣＶＤ生长的非平面量子阱及其光学性质
钱毅郑婉华
关键词：光学性质外延层晶体生长化学汽相淀积
量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响被引量：1
1995年
计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．
张敬明徐遵图杨国文郑婉华钱毅李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
关键词：光增益激射特性温度
用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵被引量：1
1993年
本文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。
钱毅徐俊英徐遵图张敬明肖建伟陈良惠王启明周小川蒋健钟战天
关键词：分子束外延量子器件
GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计被引量：3
1992年
本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.
张敬明徐俊英肖建伟徐遵图李立康杨国文曾安钱毅陈良惠
关键词：激光器波长阈值
Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性被引量：1
1997年
采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．
杨沁清钱毅董文甫王启明崔堑黄绮周钧铭
关键词：硅光致发光
用MOCVD在非平面衬底上生长的量子阱、量子线及其光学性质被引量：1
1994年
本文报道在６５０℃的衬底温度下实现了ＭＯＣＶＤ在（１００）面和（１１１）面上生长ＧａＡｓ与Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的不同的选择性．这一衬底温度比国际上以前报道的要低，对制作适于光电器件的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱层比较有利．用此技术，在ＧａＡｓ非平面衬底上生长了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ量子阱，并用扫描电镜、低温光致发光谱以及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究．结果不仅证明了ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＡｓ和Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ的独特选择性，也证明了在Ｖ字形沟槽底形成了量子线．
钱毅郑婉华郑联喜张霞胡雄伟陈良惠王启明
关键词：半导体材料MOCVD
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