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徐俊英

作品数：44 被引量：64H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 43篇电子电信

主题

  • 35篇激光
  • 35篇激光器
  • 24篇量子阱激光器
  • 12篇半导体
  • 10篇应变量子阱
  • 10篇半导体激光
  • 10篇半导体激光器
  • 9篇应变量子阱激...
  • 9篇分子束
  • 9篇分子束外延
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  • 7篇波导
  • 6篇脊形
  • 6篇INGAAS...
  • 5篇多量子阱
  • 5篇应变层
  • 5篇脊形波导
  • 5篇放大器
  • 5篇ALGAAS

机构

  • 43篇中国科学院
  • 7篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇航空航天部
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 44篇徐俊英
  • 34篇陈良惠
  • 32篇徐遵图
  • 29篇张敬明
  • 27篇杨国文
  • 20篇肖建伟
  • 9篇郑婉华
  • 7篇沈光地
  • 6篇何晓曦
  • 5篇王启明
  • 5篇陈昌华
  • 5篇李世祖
  • 5篇钟战天
  • 3篇卢励吾
  • 3篇曾一平
  • 3篇周洁
  • 3篇周小川
  • 3篇钱毅
  • 2篇廉鹏
  • 2篇李秉臣

传媒

  • 26篇Journa...
  • 5篇中国激光
  • 4篇高技术通讯
  • 3篇物理学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇光学学报
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 4篇1999
  • 3篇1998
  • 6篇1997
  • 8篇1996
  • 5篇1995
  • 4篇1994
  • 7篇1993
  • 5篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析
1993年
用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。
陈德勇朱龙德李晶熊飞克徐俊英万寿科梁骏吾
关键词：INGAAS/INP
980nm　InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器
1996年
报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大于１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％（镀高反膜和增透膜），５０℃、８０ｍＷ恒定功率条件下老化实验结果表明：该条件下激光器寿命超过１０００小时。
徐遵图徐俊英杨国文张敬明肖建伟何晓曦郑婉华陈良惠
关键词：应变层激光器INGAASALGAAS砷化镓
在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生被引量：1
1995年
本文讨论脊形波导级联双区增益（或Ｑ）开关ＭＢＥ生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰竞ＦＷＨＭ＜６０ｐｓ，与理论值符合很好．
张敬明徐遵图杨国文郑婉华李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
关键词：量子阱激光器激光器波导
980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件被引量：3
1997年
利用分子束外延技术研制出了高质量InGsAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器.脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8 W/A,线性输出功率大于150mW,基横模输出功率可达100mW.InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合,其组合件出纤光功率典型值为40mW,最大值可达60mW.显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率.其组合件在40～60mW下,中心发射波长在977nm.满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器.
徐遵图徐俊英杨国文张敬明肖建伟陈良惠沈光地
关键词：应变层半导体激光器
低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器被引量：1
1993年
本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm^2,最低达675A/cm^2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。
杨国文肖建伟徐遵图徐俊英张敬明陈良惠
关键词：半导体激光器
分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究
1993年
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs gradedindex separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_(Al)=0.2→0.43和x_(Al)=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在X_(Al)=0.43的n-AlGaAs层里X_(Al)值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
卢励吾周洁徐俊英钟战天
关键词：分子束外延
AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验被引量：7
1992年
本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.
张敬明陈良惠曾安肖建伟徐俊英杨国文李文康徐遵图
关键词：激光器光增益矩阵理论
低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
1992年
采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天
关键词：激光器应变层量子阱结构
快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究
1998年
用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究．用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大．对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能．９５０℃，３０ｓ退火条件下，铝原子的扩散系数为６６×１０－１６ｃｍ２／ｓ，扩散过程的激活能为５０ｅＶ．
徐遵图徐俊英杨国文杨国文殷涛张敬明廉鹏陈良惠廉鹏
关键词：半导体激光器双量子阱砷化镓
求复折射率波导本征值的打靶法被引量：8
1997年
给出了求一维缓变复折射率波导本征值的打靶法，它是对求一维实折射率波导本征值的打靶法的推广。利用它可以分析增益或损耗对ＴＥ和ＴＭ模式的影响。
陈昌华杨国文徐俊英徐俊英陈良惠
关键词：本征值波导打靶法复折射率
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