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张兴

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：航空航天部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇优化设计
  • 1篇击穿电压
  • 1篇集成电路
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇MOSFET

机构

  • 2篇航空航天部

作者

  • 2篇张兴
  • 2篇黄敞
  • 1篇石涌泉

传媒

  • 2篇微电子学与计...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高速CMOS/SOI电路输入保护网络的优化设计被引量：2
1993年
报道CMOS/SOI集成电路中输入保护网络的优化设计.从网络内部参数、总体设计的理论分析以及失效测试等方面讨论了各种因素对静电失效的影响,并在此基础上成功地研制了抗静电能力超过2000V、电路平均单级门延迟小于2.7ns的输入保护网络.
张兴石涌泉黄敞
关键词：集成电路优化设计
薄硅层SOI MOSFET击穿电压的二维数值分析被引量：1
1992年
文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性。采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附近电场强度增强引起的机理。
张兴黄敞
关键词：MOSFET击穿电压
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共1页<1>
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