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周觅

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇阻挡层
  • 2篇淀积
  • 2篇原子层淀积
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇超薄
  • 1篇性能评价
  • 1篇铜互连
  • 1篇互联
  • 1篇互联技术
  • 1篇互连
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇NISI
  • 1篇TA
  • 1篇TAN
  • 1篇铜
  • 1篇铷
  • 1篇CU
  • 1篇CU互连

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇周觅
  • 1篇茹国平
  • 1篇李炳宗
  • 1篇屈新萍
  • 1篇赵莹
  • 1篇王保民
  • 1篇黄巍
  • 1篇蒋玉龙

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ta/TaN作为Cu和NiSi接触的阻挡层研究
研究了以Ta/TaN作为阻挡层的Cu在Nisi衬底上的接触的热学及电学稳定性。用四探针方法(FPP)、X射线衍射谱(XRM)、扫描电子显微镜(SEM)、深度俄歇电子能谱(AES)、电流-电压测试(I-V)及肖特基势垒高度...
周觅赵莹黄巍王保民茹国平蒋玉龙李炳宗屈新萍
关键词：互联技术阻挡层性能评价
面向45nm铜互及铜接触工艺的超薄扩散阻挡层研究
当集成电路工艺特征尺寸到达45mm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及可靠性产生威胁而成为一个巨大挑战。为寻求可能的解决方案,半导体工业界已经开发出各种新工艺和新...
周觅
面向45nm铜互连及铜接触工艺的超薄扩散阻挡层研究
当集成电路工艺特征尺寸到达45nm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及可靠性产生威胁而成为一个巨大挑战。为寻求可能的解决方案,半导体工业界已经开发出各种新工艺和新...
周觅
关键词：扩散阻挡层原子层淀积
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