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耿斌
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西北核核技术研究所
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合作作者
杨海亮
西北核核技术研究所
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西北核核技术研究所
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功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模拟方法
建立了VDMOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和参数提取方法,对器件的输出特性和单粒子烧毁效应机理进行了分析和模拟,模拟结果与文献中的数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
唐本奇
王燕萍
耿斌
陈晓华
杨海亮
关键词:
功率MOS器件
单粒子烧毁
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半导体器件
场效应器件
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功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模拟方法
了VDMOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和参数提取方法,对器件的输出特性和单粒子烧毁效应机理进行了分析和模拟,模拟结果与文献中的数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
唐本奇
王燕萍
耿斌
陈晓华
杨海亮
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功率MOS器件
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