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杨云良

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金贵州省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 4篇发光
  • 4篇半导体
  • 3篇异质结
  • 3篇光效
  • 3篇光效率
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇半导体材料
  • 3篇出光
  • 3篇出光效率
  • 2篇探测器
  • 2篇能源
  • 2篇能源消耗
  • 2篇热蒸发
  • 2篇金膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇环境负荷

机构

  • 10篇贵州大学
  • 1篇贵州师范大学

作者

  • 10篇杨云良
  • 9篇谢泉
  • 8篇肖清泉
  • 8篇廖杨芳
  • 6篇章竞予
  • 6篇梁枫
  • 5篇范梦慧
  • 5篇陈茜
  • 5篇张晋敏
  • 5篇黄晋
  • 5篇谢晶
  • 1篇高廷红

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 8篇2015
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Mg2Si/Si异质结的制备及I-V特性研究
2016年
采用磁控溅射和热处理系统制备Mg_2Si/Si异质结。首先在n-Si(111)衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg_2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg_2Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、Mg_2Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg_2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度(-9.30×1012 cm-3)、导通电压(0.31V)、导通电流(0.6mA)、工作电压(0.53V)等,测得该异质结为n-n型。
王善兰廖杨芳吴宏仙梁枫杨云良肖清泉谢泉
关键词:磁控溅射I-V特性
一种发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种发光二极管及其制备方法,它包括衬底,衬底的刻蚀处设置有n电极,衬底的上表面为n‑Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,n‑Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的上表面为p‑Mg<Sub>2</Sub>Si...
谢泉廖杨芳杨云良肖清泉张宝晖梁枫王善兰吴宏仙张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
文献传递
非晶态微观结构常用的表征方法研究
2015年
非晶态材料性能独特,在很多领域都有广泛的应用,对其微观结构的研究成为材料科学和凝聚态物理中的热点.文章根据非晶态的形成特点和结构形态,介绍非晶态微观结构常用的表征方法,如径向分布函数、键角分布函数、Honeycutt-Andersen (H-A) 键型指数法、团簇类型指数法及Voronoi多面体方法,结合材料模拟研究的结果,分析这些结构表征方法在表征不同材料微观结构特点时的优缺点,为材料计算和模拟中的结构表征提供参考.
杨云良谢泉谢卓成姚震震高廷红
关键词:非晶态材料微观结构
溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响
2015年
采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜,然后进行低真空热处理,制备不同厚度的Mg2Si/Si异质结。通过XRD、SEM对Mg2Si/Si异质结中Mg2Si的晶体结构、异质结表面和剖面形貌进行分析,结果表明:制备了单一相Mg2Si薄膜,Mg2Si(220)衍射峰最强,异质结界面平整。通过四探针仪测量电阻率进行分析,发现电阻率随Mg2Si膜厚的增加而减小。
张宝晖谢泉肖清泉廖杨芳杨云良
关键词:射频磁控溅射X射线衍射表面形貌
Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
2015年
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。
杨云良廖杨芳姚震震肖清泉张宝晖章竞予谢泉
关键词:磁控溅射薄膜厚度方块电阻
硅化镁LED材料的制备与器件的设计研究
环境友好型半导体材料硅化镁(Mg2Si)是一种窄带隙间接半导体材料。目前,微电子行业主要基于Si材料进行应用,在Si衬底上生长Mg2Si薄膜的工艺,可以很好地与Si工艺兼容,因此Mg2Si/Si异质结结构具有重大的研究价...
杨云良
关键词:半导体材料I-V特性光致发光磁控溅射
文献传递
一种红外探测器
本实用新型公开一种红外探测器,包括衬底,在衬底上表面设置Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜上表面连接上电极,在衬底下表面设置下电极,本实用新型所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的...
谢泉廖杨芳张宝晖杨云良肖清泉梁枫张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
文献传递
一种发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种发光二极管及其制备方法,它包括衬底,衬底的刻蚀处设置有n电极,衬底的上表面为n-Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,n-Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的上表面为p-Mg<Sub>2</Sub>Si...
谢泉廖杨芳杨云良肖清泉张宝晖梁枫王善兰吴宏仙张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
文献传递
一种红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器的制备方法,该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,然后在衬底下表面镀一层下电极,在Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜上表面上镀一层上电极,本发明所用的材料用资...
谢泉廖杨芳张宝晖杨云良肖清泉梁枫张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
文献传递
一种发光二极管
本实用新型公开了一种发光二极管,它包括衬底,衬底的刻蚀处设置有n电极,衬底的上表面为n-Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,n-Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的上表面为p-Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,p...
谢泉廖杨芳杨云良肖清泉张宝晖梁枫王善兰吴宏仙张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
文献传递
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