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王伟

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 7篇晶体管
  • 4篇电极
  • 4篇电路
  • 4篇电阻
  • 4篇图像
  • 4篇脉冲
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇电流
  • 3篇有机半导体
  • 3篇有机半导体材...
  • 3篇摄像
  • 3篇接触电阻
  • 3篇介质层
  • 3篇晶体
  • 3篇绝缘层
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 3篇触电
  • 2篇等效

机构

  • 24篇中国科学院微...

作者

  • 24篇王伟
  • 19篇刘明
  • 11篇李泠
  • 8篇陆丛研
  • 8篇徐光伟
  • 7篇姬濯宇
  • 7篇王龙
  • 5篇卢年端
  • 4篇刘琦
  • 4篇李庆
  • 4篇吕杭炳
  • 4篇鲁斌
  • 4篇梁艳菊
  • 4篇秦瑞
  • 3篇李冬梅
  • 3篇陈大鹏
  • 2篇高南
  • 2篇龙世兵
  • 2篇张峰
  • 2篇郭经纬

传媒

  • 1篇2013年全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于阻变器件交叉阵列结构实现逻辑计算的方法
本公开提供一种基于阻变器件交叉阵列结构，提供了一种逻辑计算与数据存储一体化的新型操作方法，该方法的计算和存储功能基于相同的硬件架构，且在计算的同时完成数据的存储，实现了计算存储融合。所述方法包括通过控制器向指定字线或位线...
刘琦王伟刘森张峰吕杭炳龙世兵刘明
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有机薄膜晶体管接触电阻模型
有机薄膜晶体管在未来柔性、低成本、大面积电子器件方面有很好的应用前景。但是，实验中发现，有机薄膜晶体管源漏电极与沟道之间存在着较大接触电阻，是影响有机薄膜晶体管性能的主要因素之一。本文运用传输线模型，来研究底栅顶接触和底...
王伟李泠姬濯宇卢年瑞王龙徐光伟刘明
关键词：有机薄膜晶体管接触电阻传输线模型
多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅...
王明华王伟樊晓华刘明
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一种聚合物电极的制备方法
本发明公开了一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本发明所制...
姬濯宇郭经纬刘明王龙陆丛研王伟李泠
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赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法
一种测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，多个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的多个温度传感器连接线的一部分。依照本发明的测量结构、制备方法...
卢年端李泠刘明高南徐光伟王伟
石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法
一种石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法，包括：在衬底上形成多个以石墨烯材料作为有源区的MOSFET，其中在各个有源区上形成源漏金属接触；测量各个MOSFET的截止频率；针对于原始的小信号模型和石墨烯有源区与源漏...
汪令飞王伟徐光伟李泠刘明卢年端
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人工感受神经电路及其制备方法
本发明公开了一种人工感受神经电路及其制备方法，所述人工感受神经电路包括传感器、第一忆阻器以及神经元电路，其中，所述第一忆阻器具有单向阻变特性；所述传感器用于感知外界信号，并根据所述外界信号产生激励信号；所述第一忆阻器用于...
刘琦吴祖恒时拓刘明吕杭炳张续猛王伟
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一种薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管，源电极和漏电极直接形成于栅介质层中，有源层形成于栅介质层表面并且与源电极和漏电极接触，通过这种结构，彻底消除了传统薄膜晶体管器件中的体接触电阻部分，其仅具有界面接触电阻，从而降低了器件的接触电...
韩志恒李泠陆丛研徐光伟王伟刘明
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一种有机电极的制备方法
本发明公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。
姬濯宇郭经纬王龙陆丛研王伟李泠刘明
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石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法
一种石墨烯晶体管的小信号模型的截止频率的计算方法，包括：在衬底上形成多个以石墨烯材料作为有源区的MOSFET，其中在各个有源区上形成源漏金属接触；测量各个MOSFET的截止频率；针对于原始的小信号模型和石墨烯有源区与源漏...
汪令飞王伟徐光伟李泠刘明卢年端
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