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陆丛研

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 17篇晶体管
  • 11篇薄膜晶体
  • 11篇薄膜晶体管
  • 8篇电极
  • 7篇介质层
  • 7篇晶体
  • 7篇衬底
  • 7篇存储器
  • 6篇沟道
  • 5篇金属
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇气体介质
  • 4篇显示器
  • 4篇晶体管器件
  • 4篇绝缘层
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻胶
  • 4篇半导体

机构

  • 30篇中国科学院微...

作者

  • 30篇刘明
  • 30篇陆丛研
  • 21篇李泠
  • 10篇卢年端
  • 8篇姬濯宇
  • 8篇王伟
  • 6篇刘宇
  • 6篇王龙
  • 4篇赵盛杰
  • 4篇胡媛
  • 4篇张凯平
  • 4篇谢常青
  • 3篇李冬梅
  • 3篇徐光伟
  • 2篇商立伟
  • 2篇张培文
  • 2篇韩买兴
  • 2篇王宏
  • 2篇陈映平
  • 2篇刘欣

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2012
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种聚合物电极的制备方法
本发明公开了一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本发明所制...
姬濯宇郭经纬刘明王龙陆丛研王伟李泠
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一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法
本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料；在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层；在所述介质层上生长派瑞林涂层；通过光...
张凯平胡媛刘宇陆丛研赵盛杰张培文谢常青刘明
一种晶体管器件的制造方法
本发明公开了一种晶体管器件的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底的一侧依次形成第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；形成穿透第一电极层和第一绝缘层的过孔，过孔底部延伸至第二电极层；在过孔的侧面依次形成半导体层、栅绝缘层和...
李泠刘明耿玓段新绿陆丛研
一种薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶体管，源电极和漏电极直接形成于栅介质层中，有源层形成于栅介质层表面并且与源电极和漏电极接触，通过这种结构，彻底消除了传统薄膜晶体管器件中的体接触电阻部分，其仅具有界面接触电阻，从而降低了器件的接触电...
韩志恒李泠陆丛研徐光伟王伟刘明
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一种有机电极的制备方法
本发明公开了一种有机电极的制备方法，其中该有机电极不能直接制备在介质层或绝缘层的表面，该方法包括：在介质层或绝缘层的表面生长保护层；在该保护层表面制备有机电极。利用本发明所制备的有机电极，结构完整、稳定性好、重复率高。
姬濯宇郭经纬王龙陆丛研王伟李泠刘明
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一种多介质检测传感器及其制作方法
本发明实施例提供的一种多介质检测传感器及其制作方法，其中多介质检测传感器包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形...
陆丛研卢年端李泠刘宇王嘉玮耿玓刘明
一种有机薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体...
刘明陆丛研姬濯宇商立伟王宏刘欣韩买兴陈映平
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一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法
本发明公开了一种获取共面型薄膜晶体管接触电阻的方法，该方法包括：在共面型薄膜晶体管沟道区和源漏电极之间建立传输线电阻网络模型；在该传输线电阻网络模型中，传输线电阻网络被分为两段，其中源电极或漏电极上方部分作为第I段，源电...
王伟李泠徐光伟王龙陆丛研姬濯宇刘明
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一种薄膜晶体管及其制作方法
本发明实施例提供的一种薄膜晶体管及其制作方法，其中所述薄膜晶体管包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质...
卢年端李泠陆丛研王嘉玮耿玓刘明
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一种获取平面型器件的接触电阻的方法
一种获取平面型器件的接触电阻的方法，包括：运用电位测量方法获取平面型器件接触电阻；在该表面电位分布测量中，平面型器件处于电流流通状态，器件的结区形成一定的电压降，采用线性拟合的方法提取开尔文显微镜测得的电压降，并采用电压...
徐光伟韩志恒王伟陆丛研汪令飞李泠刘明
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