张艺
- 作品数：17 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：电子电信建筑科学语言文字政治法律更多>>
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
- 孙伟锋马荣晶周雷雷张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
- 考虑营运车辆驾驶人差异的主动安全预警系统优化方法
- 随着我国经济快速增长,工业化与城镇化进程加快,汽车产业不断壮大。由于贸易的发展和居民出行需求的日益增加,营运车辆作为公路客货运输行业的重要生产工具,其规模不断增加。同时,我国每年道路交通安全事故造成了生命和财产安全的重大...
- 张艺
- 关键词：多目标优化计算机视觉
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极...
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- 文献传递
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
- 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
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- 文献传递
- 550V厚膜SOI-LIGBT热载流子退化机理及寿命模型研究
- 厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-Lateral Insulated Gate BipolarTransistor，SOI-LIGBT)具有耐压高、输出能力强和易于集成等优点...
- 张艺
- 关键词：双极型晶体管热载流子效应
- 一种基于车载视频识别的营运车辆驾驶员画像分类方法
- 本发明公开了一种基于车载视频识别的营运车辆驾驶员画像分类方法，包括：采集数据，生成主动安全预警信息详细数据表；生成超时疲劳驾驶记录表；提取每一位驾驶员对应的预警记录，生成预警次数记录表；提取预警视频记录数据中的关键数据，...
- 邵宜昌叶智锐张艺张宇涵施晓蒙
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构
- 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极...
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- 文献传递
- 功率LIGBT热载流子退化机理及环境温度影响
- 2016年
- 研究了横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响.结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,由于Ialin的分布比Iasat的分布更靠近器件表面,故Ialin的退化比Iasat的退化更严重;而器件沟道区的碰撞电离和热载流子损伤很小,使得阈值电压Vth在应力前后没有明显的退化.在此基础上,进一步研究了环境温度对LIGBT器件的热载流子退化的影响.结果表明,LIGBT呈现正温度系数,且高温下LIGBT的阈值电压会降低,使得相同应力下其电流增大,导致器件碰撞电离的增大,增强了器件的热载流子损伤.
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- 关键词：环境温度热载流子效应
- 一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管
- 一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区...
- 孙伟锋王佳丽顾春德张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
- 文献传递
- 场效应管电容-电压特性测试电路的串联电阻测定方法
- 本发明公开了一种场效应晶体管电容-电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性的修...
- 刘斯扬张艺魏家行张春伟孙伟锋陆生礼时龙兴
