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一种用于硅基光敏芯片减薄的方法: 本发明公开了一种用于硅基光敏芯片减薄的方法，包括：硅片背面蒸铝、光刻掩模、磷酸腐铝、局部刻蚀减薄、后续工艺以及硅片划片分离得到光敏芯片。本发明不同于传统的在芯片级对单个光敏芯片减薄的方法，而是在晶圆级对硅片采用正面保护和...; 杨瑞雨罗国凌邓杰谢修敏刘永王泽源陈剑柯尊贵; 文献传递

复合激光介质的扩散键合方法: 本发明提出的一种复合激光介质的扩散键合方法，旨在提供一种可控性强、性能良好的方法。本发明通过下述技术方案予以实现：从上述陶瓷或晶体中先选取二块或多块；再对选取介质进行光学加工；将二块或多块介质经酒精清洗后，放入硫酸体积：...; 张伟李长年邓杰罗辉张辉荣张志斌; 文献传递

低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管被引量：2: 2017年; 通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGa As(x=0.53)材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y(x=0.78,y=0.47)材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与In P材料晶格匹配良好,可在In P衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 e V,截止波长为1.2μm,可满足1.06μm单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06μm InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 k Hz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。; 石柱代千宋海智谢和平覃文治邓杰柯尊贵孔繁林; 关键词：INGAASP/INP

基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器: 本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜...; 代千程碑彤邓杰杨瑞雨罗国凌陈剑黄海华庞树帅黄帅蒋若梅谭扬宋海智

一种扁平式象限激光探测器组件: 本实用新型属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种扁平式象限激光探测器组件，探测器组件包括光敏芯片、放大电路和器件壳体；探测器组件内部光敏芯片与放大电路采用平面布局；光敏芯片为象限光电二极管，用于将接收到的激光信号转换为...; 陈剑路小龙陈蔚寇先果宋海智黄海华邓杰庞树帅李龙蒋欣彦; 文献传递

InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器发展研究被引量：1: 2021年; 基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究。综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状。讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线材料的界面与缺陷控制、纳米线雪崩焦平面器件制备工艺等关键技术。对发展高光子探测效率、低噪声、高增益InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器的前景进行了展望。; 张伟徐强谢修敏邓杰覃文治胡卫英陈剑宋海智; 关键词：传感器技术光电二极管探测器

一种高精度芯片定位装置: 本发明涉及一种高精度芯片定位装置，属于微组装技术领域。本发明利用计算机图像识别配合机械微调的装置，可以实现芯片的高精度定位。本发明充分利用了大视角高放大倍数工业相机的优点，同时克服了相机光轴偏差和机械配合公差等对贴片精度...; 黄海华刘期斌向秋澄庞树帅张伟邓杰路小龙; 文献传递

半导体量子点量子光源研究进展被引量：3: 2020年; 半导体量子点被认为是制备量子光源的最佳方案。量子点量子光源的可控性、纯度、亮度、全同性和相干性都有了很大的提高,已接近于应用水平。归纳了基于半导体量子点的量子光源研究进展中的关键问题,指出了半导体量子点量子光源在3个方面的主要进展,并讨论了关键制备技术,即半导体量子点作为单光子光源,实现了高全同性、高纯度、高收集效率等特性;通过降低精细结构分裂效应等措施,量子点量子光源实现了具有高比特率、高保真度特性的光子纠缠;量子点量子光源与平面电子线路和纳米光子系统的芯片集成取得了显著成效。在此基础上,对半导体量子点量子光源在量子信息领域的研究前景进行了展望。; 徐强谢修敏张伟袁菲胡卫英邓杰赵新华宋海智; 关键词：半导体量子点单光子源片上集成

一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法: 本发明公开了一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法，选用P型高阻单晶硅衬底，高温推结形成隔离环与活性区；高温推结后形成主结区；完成正面钝化层与正面金属电极区制备；通过湿法电化学腐蚀在所述衬底背面形成具有倒金字塔阵列形...; 王江王鸥刘永罗国凌郑博仁杨瑞雨谭杨郝昕代千柯尊贵邓世杰邓杰姚梦麒陈生琼李喆

一种提高硅APD制结工艺精度的方法: 本发明涉及一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其中，包括：活性区p、正面接触层n<Sup>+</Sup>、背面接触层p<Sup>+</Sup>制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；...; 邓杰王鸥李潇郝昕余丽波谢修敏刘从吉宋海智

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邓杰