任云翔
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基HEMT器件加速寿命试验及退化模型的研究
- GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、临界击穿场强大等优点，成为了高频率、大功率器件的理想材料。AlGaN/GaN HEMT作为GaN基微电子器件的代表，已经广泛应用于天文、卫星、雷达等领域。但是AlGaN...
- 任云翔
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓使用寿命可靠性评估
- 加载功率与壳温对AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响被引量：7
- 2016年
- 结温是制约器件性能和可靠性的关键因素,通常利用热阻计算器件的工作结温.然而,器件的热阻并不是固定值,它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化.针对该问题,本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对象,利用红外热像测温法与Sentaurus TCAD模拟法相结合,测量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加载功率以及管壳温度下热阻的变化规律.研究发现:当器件壳温由80°C升高至130°C时,其热阻由5.9°C/W变化为6.8°C/W,增大15%,其热阻与结温呈正反馈效应;当器件的加载功率从2.8 W增加至14 W时,其热阻从5.3°C/W变化为6.5°C/W,增大22%.对其热阻变化机理的研究发现:在不同的管壳温度以及不同的加载功率条件下,由于材料导热系数的变化导致其热阻随温度与加载功率的变化而变化.
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- 关键词：热阻
- 非开关式电学法实时测量快恢复二极管瞬态温升
- 2016年
- 快恢复二极管(FRD)工作条件下,结温的实时测量和监控问题始终是个难题。利用脉冲大电流消除结自升温,测量校温曲线,然后基于该校温曲线利用非开关式电学法实现实时测量FRD的瞬态温升。对比了非开关式电学法,红外法以及开关式电学法三种方法测量的瞬态温升曲线。结果表明,在1 W功率下,TO-247-2L封装型的FRD非开关式电学法测量结温的稳态温升为42℃,比开关式电学法及红外法分别高1.2%和2.4%。结果证明,非开关式电学法可以准确地测量器件温升,解决了实时测温的问题,可以避免开关式电学法由于电流切换所造成的结温误差。
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- 关键词：结温
- 一种HEMT器件结温的测试方法
- 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HE...
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- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理
- 2016年
- 基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现：在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表明：结温低于200℃时,AlGaN施主原子的离化导致肖特基势垒高度升高;而在结温高于200℃时,表面氧杂质的扩散导致肖特基势垒高度逐渐降低。通过计算肖特基势垒高度,进一步定量的验证势垒高度的变化。而势垒高度的变化又引起阈值电压的漂移,进而影响漏源电流的变化。因此漏源电流的退化主要是由于势垒高度的变化引起的。
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- 关键词：ALGAN/GANHEMT结温
- 一种HEMT器件结温的测试方法
- 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HE...
- 郭春生高立李世伟冯士维任云翔
- 文献传递
