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李世伟

作品数:14 被引量:12H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 9篇结温
  • 5篇红外
  • 4篇图示仪
  • 4篇晶体管
  • 4篇开关切换
  • 4篇红外热像
  • 3篇热像仪
  • 3篇红外法
  • 3篇红外热像仪
  • 3篇HEMT器件
  • 2篇电阻
  • 2篇多路
  • 2篇窄脉冲
  • 2篇迁移率
  • 2篇热阻
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉宽
  • 2篇结温测量
  • 2篇开断
  • 2篇开关

机构

  • 14篇北京工业大学
  • 2篇中国电子技术...
  • 1篇中国电子技术...

作者

  • 14篇李世伟
  • 12篇郭春生
  • 11篇冯士维
  • 7篇高立
  • 4篇朱慧
  • 4篇李睿
  • 4篇王琳
  • 4篇张燕峰
  • 4篇任云翔
  • 2篇吕贤亮
  • 1篇高立

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇物理学报

年份

  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种实时测量二极管瞬态温升的方法
本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先,在不同温度下对被测二极管进行I-V特性的测量,得到I-V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流,可防止二极管自升温。然后,根据I-V特性曲线得到不同电流下电压随温度变...
郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
加载功率与壳温对AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管器件热阻的影响被引量:7
2016年
结温是制约器件性能和可靠性的关键因素,通常利用热阻计算器件的工作结温.然而,器件的热阻并不是固定值,它随器件的施加功率、温度环境等工作条件的改变而变化.针对该问题,本文以CREE公司生产的高速电子迁移率晶体管(HEMT)器件为研究对象,利用红外热像测温法与Sentaurus TCAD模拟法相结合,测量研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同加载功率以及管壳温度下热阻的变化规律.研究发现:当器件壳温由80°C升高至130°C时,其热阻由5.9°C/W变化为6.8°C/W,增大15%,其热阻与结温呈正反馈效应;当器件的加载功率从2.8 W增加至14 W时,其热阻从5.3°C/W变化为6.5°C/W,增大22%.对其热阻变化机理的研究发现:在不同的管壳温度以及不同的加载功率条件下,由于材料导热系数的变化导致其热阻随温度与加载功率的变化而变化.
郭春生李世伟任云翔高立冯士维朱慧
关键词:热阻
一种VDMOS器件结温的测试方法
本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法,包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量,得到温度‑通态电阻的关系曲线;然后,使器件处于工作状态,测量其输出特性曲线,并...
郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
文献传递
一种实时测量二极管瞬态温升的方法
本发明涉及一种实时测量二极管瞬态温升的方法。首先,在不同温度下对被测二极管进行I‑V特性的测量,得到I‑V特性曲线。其中二极管所加的电流为窄脉冲电流,可防止二极管自升温。然后,根据I‑V特性曲线得到不同电流下电压随温度变...
郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
文献传递
AlGaN/GaN HEMT器件结温测量方法与热阻特性的研究
GaN基微波功率HEMT器件凭借电子饱和速度快、击穿电场强、最大允许工作温度高等特点,在大功率、高频应用领域显示出卓越的性能。然而GaN HEMT器件栅长尺寸小,功率密度大,在大功率使用下器件的结自升温高,将直接影响器件...
李世伟
关键词:高电子迁移率晶体管铝镓氮结温测量红外热像仪
基于协同过滤算法的推荐系统研究与应用
随着信息技术的高速发展,人类已经进入网络信息社会。人们在享受信息带来便利的同时,也不得不面临大量信息引发的严重的信息过载问题。为了更好地解决该问题,推荐系统应运而生,它通过收集用户的历史行为,动态地感知用户的兴趣或需求,...
李世伟
关键词:推荐系统协同过滤用户兴趣稀疏性可扩展性
多路晶体管BE结结温测量装置
多路晶体管BE结结温测量装置,装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令,FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端,控制MOS组的沟道关断,同时,FPGA...
廖之恒郭春生吕贤亮高立李世伟冯士维朱慧
AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理
2016年
基于温度步进应力实验,研究了AlGaN/GaN HEMT器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现:在结温为139~200℃时,AlGaN/GaN HEMT器件的漏源电流随退化时间逐渐减小;而在结温为200~352℃时,漏源电流随退化时间逐渐增大。分析表明:结温低于200℃时,AlGaN施主原子的离化导致肖特基势垒高度升高;而在结温高于200℃时,表面氧杂质的扩散导致肖特基势垒高度逐渐降低。通过计算肖特基势垒高度,进一步定量的验证势垒高度的变化。而势垒高度的变化又引起阈值电压的漂移,进而影响漏源电流的变化。因此漏源电流的退化主要是由于势垒高度的变化引起的。
郭春生任云翔高立冯士维李世伟
关键词:ALGAN/GANHEMT结温
一种VDMOS器件结温的测试方法
本发明涉及一种VDMOS器件结温测的试方法,包括VDMOS器件1、温箱2、图示仪3、器件夹具4。所述方法在不同温度下对器件进行通态电阻的测量,得到温度-通态电阻的关系曲线;然后,使器件处于工作状态,测量其输出特性曲线,并...
郭春生王琳冯士维李睿张燕峰李世伟
文献传递
一种HEMT器件结温的测试方法
一种HEMT器件结温的测试方法,属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HE...
郭春生高立李世伟冯士维任云翔
文献传递
共2页<12>
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