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黄晓峰

作品数:1 被引量:4H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第四十四研究所更多>>
发文基金:中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INP

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇高新江
  • 1篇黄晓峰
  • 1篇陈伟
  • 1篇迟殿鑫
  • 1篇李彬
  • 1篇王玺
  • 1篇姚科明

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2017
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究被引量:4
2017年
通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
李彬陈伟黄晓峰迟殿鑫姚科明王玺柴松刚高新江
关键词:INGAAS/INP
共1页<1>
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