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宋瑞良

作品数:25 被引量:20H指数:3
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划超高速专用集成电路重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程交通运输工程更多>>

文献类型

  • 22篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
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主题

  • 6篇RTD
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  • 5篇隧穿
  • 5篇共振隧穿
  • 5篇共振隧穿二极...
  • 5篇二极管
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  • 2篇双稳
  • 2篇通信

机构

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  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 25篇宋瑞良
  • 21篇毛陆虹
  • 15篇郭维廉
  • 14篇张世林
  • 13篇梁惠来
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传媒

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年份

  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 5篇2006
  • 2篇2005
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量:1
2006年
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
郭维廉梁惠来宋瑞良张世林毛陆虹胡留长李建恒齐海涛冯震田国平商跃辉刘永强李亚丽袁明文李效白
RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性被引量:1
2010年
在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现VP>VV的情况,一般称为表观正阻(APR)现象。通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态线。
郭维廉王伟刘伟李晓云牛萍娟梁惠来张世林宋瑞良毛陆虹
关键词:共振隧穿二极管电特性双稳态
共振隧穿晶体管的反相器统一模型被引量:1
2007年
综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.
郭维廉牛萍娟苗长云于欣王伟梁惠来张世林李建恒宋瑞良胡留长齐海涛毛陆虹
关键词:RTTI-V特性
浅沟槽双光电探测器
2006年
提出一种新型光电探测器,采用浅沟槽隔离工艺,在双光电探测器基础上制作而成。通过使用Silvaco公司的器件模拟软件Atlas进行器件模拟,分析了浅沟槽对探测器关键参数的影响,包括响应度和响应速度。结果表明,浅沟槽双光电探测器具有良好的特性,响应度和响应速度都优于双光电探测器。
陈瑞鹏毛陆虹宋瑞良
关键词:响应度
采用RFID技术的大中城市出租车识别系统被引量:3
2008年
根据整体方案设计,探讨一种适应于出租车辆管理的,基于射频识别(RFID)技术的大中城市出租车识别系统的建设思路.识别系统利用RFID射频信号的空间耦合实现无接触信息传递,达到传递信息识别与检验的目的.该系统可实现运行车辆的不停车、远距离自动识别,降低了车辆证、牌的防伪成本.同时,将车辆远距离自动检测、大容量信息存储和微波段(RFID)芯片技术实现集成创新,利用RFID技术的全球ID识别唯一性和可追溯性,有效杜绝城市客运出租车辆的各种纸媒介证书伪造、篡改的可能性.
侯玉文毛陆虹宋瑞良
关键词:射频识别技术运营管理无线通信
RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管的设计与研制
2007年
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5~7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.
梁惠来郭维廉宋瑞良齐海涛张世林胡留长李建恒毛陆虹商跃辉冯震田国平李亚丽
关键词:RTTRTDHEMT电流峰谷比
平面型RTD及其MOBILE的设计与研制被引量:2
2006年
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.
郭维廉梁惠来张世林胡留长毛陆虹宋瑞良牛萍娟王伟商跃辉王国全冯震
关键词:RTD离子注入MOBILE
用变温法测量RTD串联电阻被引量:1
2009年
用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响。对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础。
宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
关键词:共振隧穿二极管串联电阻
磁控溅射ZAO薄膜的磁场研究
掺铝氧化锌(ZAO)是Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池的透明导电极,磁控溅射是制备ZAO的主要手段之一,其磁场分布对约束等离子体、改善薄膜性能有重要影响。通过对矩形平面靶的高斯测量,得到靶面上方水平磁场强度H||的分...
宋瑞良张毅刘玮蔡永安于涛孙云
关键词:磁控溅射有限元薄膜太阳电池
文献传递
肖特基栅型共振隧穿晶体管的制作研究
2007年
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。
胡留长郭维廉张世林梁惠来宋瑞良
关键词:负阻
共3页<123>
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