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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

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机构

  • 2篇中国科学院电...

作者

  • 2篇杜利东
  • 2篇方震
  • 2篇赵湛
  • 2篇刘启明
  • 2篇陈继超
  • 2篇肖丽

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法
本发明属于传感器技术领域,具体公开了一种银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法,所述传感器包括压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3),所述压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)由上至下依次叠置,...
杜利东赵湛方震肖丽陈继超刘启明
文献传递
压阻式压力传感器及其制造方法
本发明公开了一种压阻式压力传感器及其制造方法。该压阻式压力传感器,由上而下包括:压力传感SOI硅片,其下表面包括第一键合种子金属层;真空键合封接片,其上表面包括第二键合种子金属层,该第二键合种子金属层与压力传感SOI硅片...
杜利东赵湛方震肖丽陈继超刘启明
文献传递
共1页<1>
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