陈继超
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 压阻式压力传感器及其制造方法
- 本发明公开了一种压阻式压力传感器及其制造方法。该压阻式压力传感器，由上而下包括：压力传感SOI硅片，其下表面包括第一键合种子金属层；真空键合封接片，其上表面包括第二键合种子金属层，该第二键合种子金属层与压力传感SOI硅片...
- 杜利东赵湛方震肖丽陈继超刘启明
- 文献传递
- 利用银锡共晶键合技术的MEMS压力传感器气密封装被引量：5
- 2013年
- 为了提高MEMS压力传感器的气密封装效果,利用银锡(Ag-Sn)焊片共晶键合的方法实现封装.首先介绍了工艺流程,然后利用X射线能谱(EDX)和剪切强度分析对共晶键合的温度和时间参数进行了优化,接着对9组静载荷下的剪切强度、Ag-Sn合金分布和键合层断面做了对比分析,最后做了X光检测、氦泄漏率对比测试及MEMS压力传感器实际效果测试.实验结果表明,在温度为230℃、加热时间为15 min、静载荷范围为0.003 9 MPa～0.007 8 MPa时,MEMS压电传感器的平均剪切强度达到14.22 MPa～18.28 MPa,X光检测无明显空洞,氦泄漏率不超过5×10-4Pa.cm3/s,测试曲线表明线性度较好.
- 陈继超赵湛杜利东刘启民肖丽
- 关键词：共晶键合气密封装
- 银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法
- 本发明属于传感器技术领域，具体公开了一种银锡共晶真空键合金属应变式MEMS压力传感器及其制造方法，所述传感器包括压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)，所述压力检测片(1)、焊片(2)和封接片(3)由上至下依次叠置，...
- 杜利东赵湛方震肖丽陈继超刘启明
- 文献传递
- 基于Ag-Sn焊片共晶键合的MEMS气密性封装被引量：2
- 2012年
- 研究了在MEMS气密性封装中基于Ag-Sn焊片的共晶键合技术。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,在221℃实现了良好的键合效果,充N2保护的键合环境下,平均剪切强度达到9.4 MPa.三个月前后气密性对比实验表明氦泄漏不超过5×10-4Pa.cm3/s,满足GJB548B—2005标准规定,验证了Ag-Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中应用的可行性。
- 陈继超赵湛刘启民肖丽杜利东
- 关键词：共晶键合气密封装
