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文献类型

  • 12篇专利
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领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇电路
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  • 2篇永磁
  • 2篇永磁体
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇失配
  • 2篇铁氧体薄膜
  • 2篇铁氧体材料
  • 2篇铁氧体粉末
  • 2篇铁氧体器件
  • 2篇片式
  • 2篇片式化
  • 2篇作业区

机构

  • 13篇中国电子科技...

作者

  • 13篇倪经
  • 13篇周俊
  • 8篇陈学平
  • 4篇张为国
  • 3篇李扬兴
  • 1篇王喜生

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
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  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法
本发明公开了一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法,属于微波集成电路微加工技术领域,所述方法为:采用常温直流磁控溅射在硅晶圆上进行金属薄膜生长,完成金属薄膜电路图形化后,将硅晶圆放入高温高压气氛炉中进行一定时长的保温保...
林亚宁赖金明周俊倪经陈学平李林玲吴燕辉徐德超王倩冯旭文
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铁氧体基片激光打孔技术
本发明涉及一种铁氧体基片的激光打孔技术。目前,带负载铁氧体器件的接地技术已严重制约其大规模生产,而现有技术都有明显缺点,不能满足未来发展需求。激光打孔接地技术具有明显优势,但由于铁氧体材料的硬脆特性,采用常规激光打孔易出...
周俊倪经张为国李扬兴
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一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法
本发明公开了一种提高硅晶圆上金属薄膜电路附着力的方法,属于微波集成电路微加工技术领域,所述方法为:采用常温直流磁控溅射在硅晶圆上进行金属薄膜生长,完成金属薄膜电路图形化后,将硅晶圆放入高温高压气氛炉中进行一定时长的保温保...
林亚宁赖金明周俊倪经陈学平李林玲吴燕辉徐德超王倩冯旭文
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一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构及制备方法
本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构,属于微波集成器件领域,所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层,优选在所述金膜层与铜膜层之间,还设置有阻挡膜...
林亚宁赖金明程隽隽周俊倪经吴燕辉陈学平李林玲冯旭文黄河
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硅-旋磁铁氧体嵌套结构及其制作方法
本发明公开了硅‑旋磁铁氧体嵌套结构,属于微波集成器件微加工领域,包括硅腔体和嵌入至所述硅腔体内的旋磁铁氧体,其特征在于:在所述旋磁铁氧体的侧面和下表面设置有金属薄膜粘附层,并在所述金属薄膜粘附层上设置有氮化硅薄膜层;本发...
林亚宁赖金明周俊倪经陈学平李林玲吴燕辉徐德超
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铁氧体薄膜电路图形金属化技术的研究
研究了铁氧体薄膜电路图形金属化技术,分别对基于加法原理与减法原理的两种图形金属化工艺进行了分析比较,确定了较适合铁氧体微带薄膜器件加工的图形金属化技术,给出了最佳工艺条件的确定方法.
张为国倪经周俊曹照亮李扬兴
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一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构及制备方法
本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构,属于微波集成器件领域,所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层,优选在所述金膜层与铜膜层之间,还设置有阻挡膜...
林亚宁赖金明程隽隽周俊倪经吴燕辉陈学平李林玲冯旭文黄河
一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置
本实用新型公开了一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置,属于永磁体加工技术领域,包括工作台(3),所述工作台(3)上方设置箱罩(1),所述箱罩(1)内的一侧设置激光打孔作业区(2),在所述箱罩(1)内的另一侧设置通风管...
黄河周俊倪经邹延珂徐德超林亚宁李光东张羽郭韦陈彦张景铭张强张敖谢海军
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一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置
本发明公开了一种铁氧体基片激光通孔过程的粉末收集装置,属于永磁体加工技术领域,包括工作台(3),所述工作台(3)上方设置箱罩(1),所述箱罩(1)内的一侧设置激光打孔作业区(2),在所述箱罩(1)内的另一侧设置通风管道(...
黄河周俊倪经邹延珂徐德超林亚宁李光东张羽郭韦陈彦张景铭张强张敖谢海军
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一种铁氧体基片上金属薄膜电路电镀前清洗处理方法
本发明公开了一种铁氧体基片上金属薄膜电路电镀前清洗处理方法,属于微电子器件加工领域,其步骤包括:采用“二氧化碳雪”对铁氧体基片进行一次喷射清洗、使用酸溶液进行浸泡处理、采用“二氧化碳雪”对铁氧体基片进行二次喷射清洗和纯水...
林亚宁陈学平倪经周俊李光东李林玲徐德超邹延珂张羽黄河陈彦吴燕辉
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共2页<12>
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