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文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇扫描式
  • 2篇圆片
  • 2篇套刻
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻机
  • 2篇发光
  • 2篇测试套
  • 1篇底片
  • 1篇定影
  • 1篇对准标记
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇设备参数
  • 1篇砷化镓
  • 1篇深紫外
  • 1篇生长介质
  • 1篇微显示
  • 1篇显示器
  • 1篇显示器件
  • 1篇校准

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇彭劲松
  • 3篇高建峰
  • 2篇杨建兵
  • 2篇王溯源
  • 1篇樊卫华
  • 1篇王绪丰
  • 1篇洪乙又
  • 1篇吴金华
  • 1篇郑赛
  • 1篇杨洪宝
  • 1篇张白雪
  • 1篇蔡利康
  • 1篇殷照
  • 1篇秦昌兵

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
大尺寸高分辨率硅基OLED微显示技术研究被引量:3
2019年
开发了一款对角线尺寸超过2.4 cm,分辨率为1 400×1 050的单色高亮度硅基OLED微显示器件。器件驱动芯片中集成行列驱动、DAC、I2C、数据处理、电源模块、温度检测等功能模块。器件亮度大于35 000 cd/m^2,对比度大于10 000∶1,器件亮度均一性大于90%,在10 000 cd/m^2起始亮度下,器件的T50寿命大于7 500 h。器件性能满足AR显示等需求。
杨建兵秦昌兵秦昌兵彭劲松张白雪殷照
关键词:有机发光二极管微显示高亮度
一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法
本发明是一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法,利用标准GaAs圆片将ASML扫描式光刻机的焦平面参数校准;利用经过校准后的ASML扫描式光刻机曝光ASML和Nikon圆片对准标记图形以及用于测试套刻精度的overl...
王溯源彭劲松高建峰
文献传递
一种用于提高自发光显示器件发光亮度均匀性的方法
本发明公开了一种用于提高自发光显示器件发光亮度均匀性的方法,其特征是在自发光显示器件像素的表面涂覆一层卤化银或类似卤化银的感光膜层,通过特定时间、特定驱动状态的像素自发光曝光,显影、定影和薄膜固化等工艺,在自发光显示器件...
吴金华杨洪宝彭劲松樊卫华王绪丰洪乙又杨建兵郑赛
文献传递
一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法
本发明是一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法,利用标准GaAs圆片将ASML扫描式光刻机的焦平面参数校准;利用经过校准后的ASML扫描式光刻机曝光ASML和Nikon圆片对准标记图形以及用于测试套刻精度的overl...
王溯源彭劲松高建峰
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实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法
本发明是一种通过扫描式光刻机实现稳定的GaAs深紫外图形光刻工艺的方法,包括:1)Si片校准扫描式光刻机焦平面参数;2)在GaAs外延片表面生长一层介质;3)生长介质的GaAs外延片校准扫描式光刻机的焦平面参数;4)Ga...
蔡利康彭劲松高建峰
文献传递
共1页<1>
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