王泽来
- 作品数：19 被引量：19H指数：3
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- 太阳电池用金属背反镜的吸收损耗
- 2016年
- 利用频域有限差分法计算获得的金属背反镜吸收损耗谱及其光电流密度谱,分析了c-Si、a-Si和GaAs三种材料电池的银背反镜的吸收损耗情况。分析过程中,电池结构采用两种形式,即平板型和织构型,且两种形式的电池结构具有相同的有源层厚度、减反膜结构、缓冲层结构、银背反镜厚度。分析表明:直接带隙a-Si和GaAs材料的银背反镜损耗小于间接带隙c-Si材料;平板型电池银背反镜的TE模损耗随入射角增加而减小,TM模损耗随入射角增加而增加;织构型电池银背反镜吸收谱的吸收峰较平板型电池多,相应的银背反镜的损耗也较平板型电池大;TM模激励的等离子体振荡吸收效应在织构型电池中表现明显。
- 陆晓东赵洋王泽来张鹏吴元庆张宇峰周涛
- 关键词：吸收损耗
- 太阳电池背反镜的吸收损耗性质研究
- 2016年
- 基于频域有限差分法和入射光场在平板型和织构型非晶硅电池内的传输过程,详细分析了Ag背反镜的吸收性质。研究表明:导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收是两种电池结构Ag背反镜的主要吸收机制;在长波段,平板型电池结构的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收均较弱,其Ag背反镜的吸收很小(小于3%),而织构型电池结构可产生较强的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收,其Ag背反镜的吸收较大(某些特殊波长的吸收达50%);织构型电池结构可有效拓展入射光单程通过有源层被完全吸收的波长范围。
- 陆晓东赵洋王泽来宋扬张金晶
- 关键词：频域有限差分法太阳电池吸收损耗
- 体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响
- 2016年
- 采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。
- 陆晓东宋扬王泽来赵洋张金晶
- 关键词：有限差分法晶体缺陷
- 基于专业主修能力培养的光伏专业实践教学体系构建被引量：3
- 2015年
- 以光伏岗位实际需求为导向,从专业主修能力培养的角度,介绍了渤海大学光伏专业实践教学体系的建设情况,探讨光伏实践教学如何建立和如何有效实施等基本问题。
- 陆晓东赵洋王泽来张鹏周涛吴志颖
- 关键词：实践教学体系
- 超薄晶硅太阳电池的吸收损耗
- 2016年
- 利用频域有限差分法,分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由本征吸收和导模共振吸收引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
- 陆晓东张鹏赵洋王泽来吴元庆张宇峰周涛
- 关键词：光吸收频域有限差分法
- 施主型杂质对单晶硅中少子衰减过程的影响
- 2016年
- 单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入条件下分析了p型单晶硅内少子衰减的基本机制,然后根据施主型杂质密度、俘获截面和能级距导带底之间距离等参数的不同,重点讨论了存在施主型电子陷阱和复合中心时,太阳电池用p型单晶硅内少子衰减的基本规律。研究表明:存在施主型电子陷阱或复合中心时,p型单晶硅的少子衰减过程具有恒定的少子寿命,且杂质的密度N_T和俘获截面σ_n之积(N_T×σ_n)存在最小的影响阈值,N_T×σ_n值大于阈值的杂质和缺陷对少子衰减过程才具有重要的影响。
- 陆晓东赵洋王泽来张鹏吴元庆张宇峰周涛
- 关键词：单晶硅施主杂质俘获截面阈值
- 高阻单晶硅太阳电池关键工艺研究
- 作为解决世界能源危机的一个可行的方法，太阳电池的开发成为世界各国广泛研究的前沿课题。近年来，光伏产业发展迅速，已出现多种形式的太阳电池，但实用化的太阳电池仍以晶硅太阳电池为主。太阳电池的研究与开发始终围绕着提高光电转换效...
- 王泽来
- 关键词：太阳电池电阻率方块电阻
- 文献传递
- 晶硅电池温变过程中的输出参数及温度场特性被引量：4
- 2016年
- 利用有限差分法,分析了环境温度从250 K变化到500 K,且电池前后表面存在两种温差时,晶硅电池输出参数的温度特性及电池内部温度场的分布情况.研究表明：当电池前后表面温度相同,且温度逐渐增加时,短路电流基本不变,开路电压以0.02 V/K的速率线性减小,电池效率以0.07%/K的速率线性降低,温度场分布不均匀现象主要集中在接近电池前后表面的区域,最大温度梯度达？0.0002 K/？m;当电池前后表面存在1.5 K温差,且温度逐渐增加时,电池各输出参数均出现不同程度的改善,特别是开路电压相对无温差时可增加0.25%~1.2%,电池效率相对无温差时可增加0.4%~1.5%,温度场分布出现明显偏离由前后表面温差决定的温度梯度（0.0075K/？m）的现象.
- 陆晓东王泽来赵洋张鹏吴元庆张宇峰周涛
- 关键词：温度短路电流开路电压
- 碱腐蚀减薄硅片过程中少子寿命性质研究
- 2015年
- 通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现有的切片工艺条件下,腐蚀10分钟即可将表面损伤层完全去除,使超薄晶片显示出体内和表面寿命共同决定的较大少子寿命值.
- 陆晓东张鹏周涛赵洋王泽来
- 关键词：太阳能电池少数载流子寿命
- 基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究
- 2017年
- 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V^0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据。
- 宋扬陆晓东王泽来赵洋吕航张宇峰
