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赵洋

作品数：21 被引量：25H指数：4
供职机构：渤海大学新能源学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省科技厅基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理电气工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇动力工程及工...
  • 7篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇社会学
  • 1篇文化科学
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 17篇电池
  • 9篇太阳电池
  • 6篇硅电池
  • 5篇吸收损耗
  • 5篇硅太阳电池
  • 4篇频域有限差分
  • 4篇频域有限差分...
  • 4篇背反
  • 3篇电流
  • 3篇有限差分
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇光学
  • 3篇Ⅰ-Ⅴ特性
  • 2篇电流密度
  • 2篇有限差分法
  • 2篇杂质对
  • 2篇少子寿命
  • 2篇陷光结构
  • 2篇金属

机构

  • 21篇渤海大学

作者

  • 21篇赵洋
  • 20篇陆晓东
  • 18篇王泽来
  • 13篇周涛
  • 13篇张鹏
  • 8篇张宇峰
  • 7篇吴元庆
  • 7篇宋扬
  • 5篇张金晶
  • 4篇吕航
  • 2篇李媛
  • 1篇吴志颖
  • 1篇张明
  • 1篇王欣欣

传媒

  • 7篇人工晶体学报
  • 4篇电子元件与材...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇激光与光电子...
  • 1篇材料导报
  • 1篇渤海大学学报...
  • 1篇中国科学：技...
  • 1篇教育教学论坛

年份

  • 4篇2017
  • 10篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太阳电池用金属背反镜的吸收损耗
2016年
利用频域有限差分法计算获得的金属背反镜吸收损耗谱及其光电流密度谱,分析了c-Si、a-Si和GaAs三种材料电池的银背反镜的吸收损耗情况。分析过程中,电池结构采用两种形式,即平板型和织构型,且两种形式的电池结构具有相同的有源层厚度、减反膜结构、缓冲层结构、银背反镜厚度。分析表明:直接带隙a-Si和GaAs材料的银背反镜损耗小于间接带隙c-Si材料;平板型电池银背反镜的TE模损耗随入射角增加而减小,TM模损耗随入射角增加而增加;织构型电池银背反镜吸收谱的吸收峰较平板型电池多,相应的银背反镜的损耗也较平板型电池大;TM模激励的等离子体振荡吸收效应在织构型电池中表现明显。
陆晓东赵洋王泽来张鹏吴元庆张宇峰周涛
关键词：吸收损耗
晶硅电池温变过程中的输出参数及温度场特性被引量：4
2016年
利用有限差分法,分析了环境温度从250 K变化到500 K,且电池前后表面存在两种温差时,晶硅电池输出参数的温度特性及电池内部温度场的分布情况.研究表明：当电池前后表面温度相同,且温度逐渐增加时,短路电流基本不变,开路电压以0.02 V/K的速率线性减小,电池效率以0.07%/K的速率线性降低,温度场分布不均匀现象主要集中在接近电池前后表面的区域,最大温度梯度达？0.0002 K/？m;当电池前后表面存在1.5 K温差,且温度逐渐增加时,电池各输出参数均出现不同程度的改善,特别是开路电压相对无温差时可增加0.25%~1.2%,电池效率相对无温差时可增加0.4%~1.5%,温度场分布出现明显偏离由前后表面温差决定的温度梯度（0.0075K/？m）的现象.
陆晓东王泽来赵洋张鹏吴元庆张宇峰周涛
关键词：温度短路电流开路电压
太阳电池背反镜的吸收损耗性质研究
2016年
基于频域有限差分法和入射光场在平板型和织构型非晶硅电池内的传输过程,详细分析了Ag背反镜的吸收性质。研究表明:导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收是两种电池结构Ag背反镜的主要吸收机制;在长波段,平板型电池结构的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收均较弱,其Ag背反镜的吸收很小(小于3%),而织构型电池结构可产生较强的导模振荡吸收和表面等离子体共振吸收,其Ag背反镜的吸收较大(某些特殊波长的吸收达50%);织构型电池结构可有效拓展入射光单程通过有源层被完全吸收的波长范围。
陆晓东赵洋王泽来宋扬张金晶
关键词：频域有限差分法太阳电池吸收损耗
体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响
2016年
采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。
陆晓东宋扬王泽来赵洋张金晶
关键词：有限差分法晶体缺陷
柔性晶硅太阳电池研究
为将太阳能利用，太阳电池被发明并利用。按照太阳电池使用材料的不同，可以划分为：硅电池，化合物电池，染料敏化电池和有机薄膜电池。晶硅电池是电池市场的主要产品，但因晶硅电池的制作成本较高，柔性晶硅电池技术成为解决目前晶硅电池...
赵洋
关键词：吸收损耗光电性能
文献传递
基于专业主修能力培养的光伏专业实践教学体系构建被引量：3
2015年
以光伏岗位实际需求为导向,从专业主修能力培养的角度,介绍了渤海大学光伏专业实践教学体系的建设情况,探讨光伏实践教学如何建立和如何有效实施等基本问题。
陆晓东赵洋王泽来张鹏周涛吴志颖
关键词：实践教学体系
光学微腔型a-Si薄膜电池陷光结构设计
2017年
先基于频域有限差分法和a-Si材料的有效吸收波长范围,利用光场分布、通光效率和有源层吸收谱等优化了有源层厚度为300 nm的a-Si电池用光学微腔陷光结构的缓冲层厚度和光学微腔通光孔尺寸,并对电池光电流密度谱、总电流密度和电池输出参数进行了计算分析。研究表明:缓冲层厚度为2.6μm,通光孔直径Φ=D×0.8/8时,电池有源层具有最大的吸收效率;优化电池的短路电流为25.9225 m A/cm^2,优于其它陷光结构获得的短路电流。
宋扬陆晓东王欣欣赵洋王泽来
关键词：A-SI太阳电池频域有限差分法光学微腔陷光结构
有源层表面性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响
2017年
利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线与理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线相同,但当正向偏压大于PN开启电压0.59V,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线,且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大;当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线;就对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响而言,复合中心最大,施主型次之,受主型最小。
陆晓东宋扬王泽来赵洋张宇峰吕航张金晶
关键词：缺陷态有限差分
施主型杂质对单晶硅中少子衰减过程的影响
2016年
单晶硅材料内少子的衰减过程可以反映出其内部杂质和缺陷的信息。针对施主型杂质是单晶硅内多数杂质呈现的基本形态,首先在小注入条件下分析了p型单晶硅内少子衰减的基本机制,然后根据施主型杂质密度、俘获截面和能级距导带底之间距离等参数的不同,重点讨论了存在施主型电子陷阱和复合中心时,太阳电池用p型单晶硅内少子衰减的基本规律。研究表明:存在施主型电子陷阱或复合中心时,p型单晶硅的少子衰减过程具有恒定的少子寿命,且杂质的密度N_T和俘获截面σ_n之积(N_T×σ_n)存在最小的影响阈值,N_T×σ_n值大于阈值的杂质和缺陷对少子衰减过程才具有重要的影响。
陆晓东赵洋王泽来张鹏吴元庆张宇峰周涛
关键词：单晶硅施主杂质俘获截面阈值
碱腐蚀减薄硅片过程中少子寿命性质研究
2015年
通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现有的切片工艺条件下,腐蚀10分钟即可将表面损伤层完全去除,使超薄晶片显示出体内和表面寿命共同决定的较大少子寿命值.
陆晓东张鹏周涛赵洋王泽来
关键词：太阳能电池少数载流子寿命
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