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施媛媛

作品数：14 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇功率二极管
  • 5篇二极管
  • 4篇刻蚀
  • 3篇栅控
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电路
  • 2篇电路实现
  • 2篇异质结
  • 2篇增强型
  • 2篇栅极
  • 2篇势垒
  • 2篇数字集成电路
  • 2篇锁存
  • 2篇锁存器
  • 2篇漏极
  • 2篇晶体管
  • 2篇开启电压
  • 2篇集成电路

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇施媛媛
  • 13篇张波
  • 12篇周琦
  • 7篇陈万军
  • 6篇鲍旭
  • 5篇汪玲
  • 5篇张安邦
  • 4篇王泽恒
  • 4篇陈博文
  • 3篇刘丽
  • 2篇李建
  • 2篇明鑫
  • 2篇张宣
  • 1篇李健
  • 1篇汪玲
  • 1篇陈万军
  • 1篇周琦

传媒

  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半桥电路直通保护电路
本发明公开了一种半桥电路直通保护电路，通过增强型GaN功率晶体管和GaN基二极管实现全GaN集成的基本数字逻辑单元电路，即与非门子电路和或非门子电路的设计，进而通过与非门子电路和或非门子电路实现全GaN集成的半桥电路直通...
周琦程前明鑫施媛媛韩晓琦马骁勇张宣张波
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一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法
一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法，属于材料技术领域，涉及材料表面处理工艺和半导体器件制备工艺。本发明提出一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法，将干法刻蚀后的Ⅲ族氮化物半导体材料浸没在浓度为1％...
周琦鲍旭汪玲牟靖宇施媛媛章晋汉靳旸陈万军张波
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硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管
GaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管是电力电子应用中不可或缺的器件,制造一个具有开启电压(VT低、反向漏电小(IR＜1μA/mm)...
陈博文周琦张安邦施媛媛靳旸陈万军张波
关键词：功率模块单片集成
一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法
一种III-V族化合物半导体材料的刻蚀方法，属于半导体工艺技术领域。本发明采用低温氧气等离子体氧化的干法氧化工艺结合湿法腐蚀氧化层的工艺对III-V族化合物半导体材料进行刻蚀，可以精确控制刻蚀深度(刻蚀精度可达<Imag...
周琦牟靖宇鲍旭汪玲施媛媛靳旸陈博文陈万军张波
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具有结终端混合阳极的高性能AlGaN/GaN功率二极管
本文提出一种具有结终端混合阳极结构(Edge-terminated hybrid anode-ETH)的高性能AlGaN/GaN功率二极管(ETH-Diode).通过优化混合阳极肖特基接触下方势垒层厚度以调制沟道中二维电...
汪玲周琦鲍旭牟靖宇施媛媛刘朝阳陈万军张波
关键词：功率二极管氮化镓结终端
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一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种具有栅控结构的GaN异质结功率二极管。本发明的二极管的阳极由两部分构成，一部分肖特基金属淀积在全刻蚀形成的凹槽中，形成肖特基金属-二维电子气(2DEG)接触；另一部分肖特基金属淀...
周琦李建王泽恒施媛媛张安邦刘丽张波
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硅基GaN功率器件缺陷相关可靠性机理研究
因具有高击穿电压、高电子迁移率、高饱和电子速度和高载流子迁移率等优异性能，硅基氮化镓异质结高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors，HEMTs）功率器件...
施媛媛
一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法
本发明提供一种GaN基隧穿FinFET器件及其制造方法，器件包括：衬底、叠层、栅绝缘介质层以及栅金属层，叠层包括GaN层、XN层、源极金属层，XN层上方设有漏极金属层，制造方法步骤为：原始材料为具有XN/GaN外延层的晶...
周琦张安邦陈博文靳旸施媛媛王泽恒李建张波
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一种半桥电路直通保护电路
本发明公开了一种半桥电路直通保护电路，通过增强型GaN功率晶体管和GaN基二极管实现全GaN集成的基本数字逻辑单元电路，即与非门子电路和或非门子电路的设计，进而通过与非门子电路和或非门子电路实现全GaN集成的半桥电路直通...
周琦程前明鑫施媛媛韩晓琦马骁勇张宣张波
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一种GaN异质结功率二极管
本发明涉及半导体器件技术领域，涉及GaN异质结功率二极管。本发明中阳极的肖特基金属淀积在凹槽中而不是直接淀积在异质结表面，并且在凹槽的右下方靠近阴极一侧淀积电介质在阳极形成结终端结构，并通过刻蚀势垒层降低肖特基金属下方沟...
周琦汪玲鲍旭牟靖宇施媛媛尉中杰张波
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