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孙海燕

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇抛光
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇硝酸
  • 2篇缓冲剂
  • 2篇机械抛光
  • 1篇倒角
  • 1篇乙醇
  • 1篇探测器
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇无水乙醇
  • 1篇离子
  • 1篇离子化
  • 1篇离子化合物
  • 1篇晶片
  • 1篇化合物
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面探测器
  • 1篇角器
  • 1篇光刻

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇孙海燕
  • 2篇刘海龙
  • 2篇侯晓敏
  • 2篇李春领
  • 1篇陈慧卿
  • 1篇史春伟

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种半导体晶片的抛光倒角方法
本发明公开了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角。依照本发明将半导体晶片...
孙海燕陈慧卿史春伟
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一种腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种腐蚀液及腐蚀方法，该腐蚀液包括硝酸或磷酸，以及缓冲剂；还包括：高锰酸根离子化合物或重铬酸根离子化合物，或者是高锰酸根离子化合物和重铬酸根离子化合物的混合物；每升腐蚀液包括：85～110g/L的硝酸、0.2...
李春领侯晓敏刘海龙张瑛侠孙海燕
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一种腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种腐蚀液及腐蚀方法，该腐蚀液包括硝酸或磷酸，以及缓冲剂；还包括：高锰酸根离子化合物或重铬酸根离子化合物，或者是高锰酸根离子化合物和重铬酸根离子化合物的混合物；每升腐蚀液包括：85～110g/L的硝酸、0.2...
李春领侯晓敏刘海龙张瑛侠孙海燕
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