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文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇芯片
  • 6篇探测器
  • 5篇探测器芯片
  • 5篇碲镉汞
  • 4篇抛光
  • 3篇电路
  • 3篇读出电路
  • 3篇三氧化二铝
  • 3篇脱泡
  • 3篇面阵
  • 3篇减薄
  • 2篇阵列
  • 2篇平面阵
  • 2篇平面阵列
  • 2篇碲锌镉
  • 2篇硝酸
  • 2篇缓冲剂
  • 2篇机械抛光
  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面阵列

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇刘海龙
  • 4篇李春领
  • 3篇王骏
  • 3篇谢珩
  • 3篇张鹏
  • 3篇侯晓敏
  • 3篇王宪谋
  • 2篇王成刚
  • 2篇孙海燕
  • 2篇王春红
  • 2篇程雨
  • 1篇喻松林
  • 1篇朱西安

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2010
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种锑化铟红外探测器的减薄方法
本发明提出了一种锑化铟红外探测器的减薄方法,包括:将锑化铟红外探测器粘接于基板上,在所述锑化铟红外探测器的电路焊盘的对应位置涂抹塑料蜡,并在所述锑化铟红外探测器的四周贴上陪条;对所述锑化铟红外探测器进行研磨至第一厚度;对...
张伟婷曹凌霞赵俊雅帅昊郭海江庄厉王春红刘海龙
硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片
本发明公开了一种硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片。硅基红外探测器芯片背面减薄方法,包括:沿焦平面阵列本体的四周涂抹光刻胶,以遮挡所述焦平面阵列本体的四周与读出电路板所形成的缝隙;对所述焦平面阵列本体的衬...
程雨刘海龙王成刚
用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置
本发明公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置,该方法包括:将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理;对读出电路芯片上进行加热,当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶,得...
谢珩王宪谋王骏刘海龙张鹏
文献传递
一种腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种腐蚀液及腐蚀方法,该腐蚀液包括硝酸或磷酸,以及缓冲剂;还包括:高锰酸根离子化合物或重铬酸根离子化合物,或者是高锰酸根离子化合物和重铬酸根离子化合物的混合物;每升腐蚀液包括:85~110g/L的硝酸、0.2...
李春领侯晓敏刘海龙张瑛侠孙海燕
文献传递
用于芯片的补胶装置及其使用方法
本发明提出了一种用于芯片的补胶装置及其使用方法,补胶装置包括:基台、芯片载板及底座,基台设有可旋转的真空吸附区;芯片载板真空吸附于真空吸附区,用于固定待补胶芯片;底座与芯片载板正对设置,底座可旋转,底座与待补胶芯片的补胶...
马腾达徐圣娴刘海龙王慧李浩冉徐港
硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片
本发明公开了一种硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片。硅基红外探测器芯片背面减薄方法,包括:沿焦平面阵列本体的四周涂抹光刻胶,以遮挡所述焦平面阵列本体的四周与读出电路板所形成的缝隙;对所述焦平面阵列本体的衬...
程雨刘海龙王成刚
文献传递
用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置
本发明公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充方法及装置,该方法包括:将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理;对读出电路芯片上进行加热,当加热到预定温度后,沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶,得...
谢珩王宪谋王骏刘海龙张鹏
文献传递
用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法
本发明公开了一种用于大面阵红外探测器芯片减薄的抛光调平装置及其方法,保证芯片区域处理一致性,形成良好的面型,以提高大面阵红外探测器芯片质量。抛光调平装置包括:抛光盘;抛光垫,铺设于抛光盘;夹具主体,包括压力控制杆和夹具盘...
马腾达喻松林李春领刘海龙王春红
用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置
本实用新型公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置,该装置包括:混料器,用于将填充胶水进行混合,所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料,所述填充料为三氧化二铝,且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%;脱泡机...
谢珩王宪谋王骏刘海龙张鹏
文献传递
一种红外器件用衬底倒边器
本实用新型公开了一种能够去除红外器件用衬底边缘在切割后形成的碎小残渣,并有效保留所需晶向的新型红外器件用衬底倒边器。所述红外器件用衬底倒边器包括基底(1),该基底(1)表面开有一个“V”型槽(2),其中,基底(1)的形状...
李春领刘海龙侯晓敏朱西安
文献传递
共2页<12>
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