刘力源
- 作品数：149 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>
- 针对大画幅稀疏样本遥感图像目标检测的数据增强方法及装置
- 本发明实施例提供一种针对大画幅稀疏样本遥感图像目标检测的数据增强方法及装置，涉及图像处理、目标检测技术领域。该方法完整的检测目标作为数据增强的拓展对象，确保从增加正样本同时输入更多的负样本进入网络训练，从而得到更准确的目...
- 周丹书窦润江李泽君刘力源吴南健刘剑
- 基于多种不变性混合的目标跟踪方法和系统
- 一种基于多种不变性混合的目标跟踪方法和系统，该方法包括如下步骤：对输入图像进行滤波并选取目标候选区域、对目标候选区域提取旋转不变性特征、将旋转不变性特征转换成向量、对目标候选区域提取灰度不变性特征、将灰度不变性特征转换成...
- 王加庆窦润江刘力源吴南健秦琦
- 一种自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法
- 本发明公开了一种基于动态电容的自适应电荷再分布模数转换器、转换方法及校准方法。本发明中的模数转换器，通过引入动态电容，在白适应滤波器的支持下，能够完成模数转换器的白适应校准。本发明的校准方法，能够实时跟踪环境变化校准电容...
- 姚兵兵刘力源刘剑吴南健
- 文献传递
- 采用CMOS太赫兹波探测器的成像系统被引量：6
- 2017年
- 太赫兹波成像技术在生物医疗和安全检测等领域具有广阔的应用前景。针对新一代信息技术对便携式太赫兹波成像设备的需求,设计了基于CMOS太赫兹波探测器的成像系统。该系统包括一款CMOS太赫兹波探测器、片外模数转换器(ADC)、FPGA数字信号处理器、二位步进机、四个抛物面镜和太赫兹波辐射源等。CMOS太赫兹波探测器集成了片上贴片天线以及作为检波元件的NMOS晶体管,探测器由180 nm标准CMOS工艺制成。太赫兹波探测器的输出被片外模数转换器(ADC)采集并转换为数字信号,该数字信号被FPGA采集并传输到电脑上成像。所有上述元件均被装备在印刷线路板(PCB)上以减小系统体积。该系统实现了透射式太赫兹波扫描成像而无需斩波-锁相技术,并给出在860 GHz的太赫兹波照射下隐藏在信封内部金属的成像结果。
- 刘朝阳刘力源吴南健
- 关键词：CMOS
- 智能工业以太网装置及其控制方法
- 本发明提供一种智能工业以太网装置及其控制方法，包括：光学镜头；第一结构件、第二结构件、第三结构件；图像传感器电路板、主控电路板、加速视觉芯片电路板、工业以太网电路板；其中，光学镜头、第一结构件和图像传感器电路板组成成像组...
- 窦润江刘力源于靖一吴南健刘剑
- CMOS图像传感器的四通道扩展计数ADC设计被引量：2
- 2022年
- 面向科研领域应用的CMOS图像传感器,需要具有低噪声、高动态范围和高灰度分辨率的特点.本文分析了多通道扩展计数ADC结构的性能,提出了一种基于相关多采样技术(Correlated Multiple Sampling,CMS)的15位四通道扩展计数ADC.该ADC的4个并行输入通道采用增量型ADC,第二级采用1个循环型ADC在通道间复用.ADC电路基于0.11μm CMOS工艺进行设计,仿真结果显示,在128次多采样下,ADC的分辨率为15位,信号信噪比可提高9.22 dB,此时积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)分别为-3.32 LSB和-2.58 LSB,4通道最高采样率为133 KSPS,在3.3 V电源电压下,平均每通道功耗为650μW.
- 李明尹韬蔡刚高同强冯鹏刘力源刘力源
- 关键词：CMOS图像传感器
- 用于高速CIS的12-bit紧凑型多列共享并行pipeline-SAR ADC（英文）被引量：1
- 2018年
- 设计了一款用于高速CMOS图像传感器的多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器。八列像素共享一路pipeline-SAR ADC,从而使得ADC的版图不再局限于二列像素的宽度,可以在16列像素宽度内实现。该模数转换器采用了异步控制逻辑电路来提高转换速度。半增益数模混合单元电路被用于对第一级子ADC的余差信号放大,同时被用于降低对增益数模混合单元电路中运放性能的要求。相关电平位移技术也被用于对余差信号进行更精确的放大。整个pipeline-SAR ADC第一级子ADC精度为6-bit,第二级子ADC为7-bit,两级之间存在1-bit冗余校准,最终实现12-bit精度。输入信号满幅电压为1 V。该8列共享并行处理的pipeline-SAR ADC在0.18μm 1P4M工艺下制造实现,芯片面积为0.204 mm^2。仿真结果显示,在采样频率为8.33 Msps,输入信号频率为229.7 kHz时,该ADC的信噪失真比为72.6 d B;在采样频率为8.33 Msps,输入信号频率为4.16 MHz时,该ADC的信噪失真比为71.7 dB。该pipelineSAR ADC的电源电压为1.8 V,功耗为4.95 mW,功耗品质因子(FoM)为172.5 fJ/conversion-step。由于像素尺寸只有7.5μm,工艺只有四层金属,因此这款12-bit多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器非常适用于高速CMOS图像传感器系统。
- 郭志强刘力源刘力源
- 关键词：AD
- 太赫兹波成像系统及方法
- 本公开提供一种太赫兹波成像系统及方法，系统包括：太赫兹探测器(A)，用于探测太赫兹调制光信号，并利用解调信号对太赫兹调制光信号进行采样，得到采样信号；CSA积分模块(B)，用于依次对采样信号进行积分放大，得到光电流信号；...
- 刘力源刘敏刘剑吴南健
- 文献传递
- 基于单光子雪崩二极管的成像技术综述
- 2024年
- 单光子成像技术涉及半导体工艺、光电器件以及集成电路设计等多个方面,基于单光子雪崩二极管的成像技术具有高动态二维灰度成像、高精度三维成像和荧光寿命成像能力,在安防监控、自动驾驶和生物医疗等领域具有广阔的应用前景。伴随着半导体工艺技术的飞速发展,单光子成像技术有望成为应用广泛的下一代视觉感知技术。本文对基于单光子雪崩二极管的成像技术进行了系统的介绍,包括单光子雪崩二极管器件、单光子成像涉及的关键电路以及二维灰度和时间分辨单光子图像传感器的最新研究进展。
- 王哲田娜杨旭冯鹏冯鹏于双铭刘剑吴南健刘剑
- 关键词：CMOS图像传感器三维成像
- 基于二维半导体的图像传感器
- 2024年
- 图像传感器作为获取视觉信息的重要器件,可将感知到的光信号转换为电信号进行输出。目前,基于互补型金属氧化物半导体构建的图像传感器制造技术已相当成熟。然而,在某些特定的应用场景下,对微型化和多功能的图像传感器的需求仍待解决。面对此挑战,结合二维半导体丰富的材料体系及优异的光电特性,以及器件向微型化和多功能化发展的趋势,基于二维半导体的图像传感器在微型化和高集成度方面显示出巨大潜力,为图像传感器领域的发展带来了新机遇。本文首先介绍了二维半导体的带隙特性及其对应的光谱响应波段范围,展示了基于二维半导体的单像素成像技术;接着,阐述了如何利用二维半导体原子排布呈面内各向异性的特征,成功构筑了偏振敏感的图像传感器;最后,探讨了随着大面积二维半导体材料生长技术的不断成熟,如何进一步实现基于二维半导体像素阵列图像传感器的构筑。
- 于雅俐麦梓锋刘力源魏钟鸣慈鹏弘
- 关键词：光响应图像传感器
