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冯鹏

作品数:53 被引量:48H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 38篇专利
  • 15篇期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 12篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 17篇感器
  • 17篇传感
  • 15篇传感器
  • 11篇芯片
  • 10篇图像
  • 9篇图像传感器
  • 8篇电路
  • 7篇电压
  • 7篇射频识别
  • 6篇电源
  • 6篇无线射频
  • 6篇CMOS图像
  • 6篇CMOS图像...
  • 5篇电容
  • 5篇射频
  • 5篇光电
  • 4篇低功耗
  • 4篇电源管理
  • 4篇电源管理芯片
  • 4篇定电压

机构

  • 53篇中国科学院
  • 9篇中国科学院大...
  • 3篇兰州大学
  • 2篇中国科学院脑...
  • 1篇宁波大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇中国科学院空...
  • 1篇上扬无线射频...

作者

  • 53篇冯鹏
  • 51篇吴南健
  • 20篇刘力源
  • 16篇刘剑
  • 5篇李贵柯
  • 4篇颜小舟
  • 4篇赵柏秦
  • 4篇司禹
  • 3篇张胜广
  • 2篇王海永
  • 2篇章琦
  • 2篇陈晶晶
  • 2篇刘磊
  • 2篇耿志卿
  • 2篇楼文峰
  • 2篇郑婉华
  • 2篇耿志清
  • 2篇秦琦
  • 2篇冯志刚
  • 2篇王宇飞

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇微纳电子与智...
  • 2篇集成电路与嵌...
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇天津大学学报...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 5篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2010
53 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
无源RFID电子标签数字基带处理器
一种无源RFID电子标签数字基带处理器,包括:一解码器模块;一指令解析模块与解码器模块连接;一循环校验模块与解码器模块连接;一状态机控制模块与指令解析模块连接;一存储器控制模块与状态机控制模块连接;一片上传感器接口模块与...
于双铭吴南健冯鹏
文献传递
超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计被引量:1
2014年
为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16^+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。
张胜广冯鹏杨建红谷永胜吴南健赵柏秦
关键词:解调器高灵敏度
一种超高频无线传感标签
本发明公开了一种结合无源与半有源工作模式的超高频无线传感标签。此传感标签包括了射频整流电路,ASK信号解调电路和能够改变天线输入阻抗的背射调制电路,使得标签能够以无源的方式实现传感数据的无线收发,从而降低功耗和成本。当标...
冯鹏吴南健于双铭
文献传递
采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法
本发明提供一种采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法,采样开关包括:衬底;栅极,形成于衬底的上表面;源极,形成于衬底内,位于栅极的一侧;漏极,形成于衬底内,位于栅极相对于源极的另一侧;沟道区域,形成于正对栅极的衬底...
郭振华冯鹏顾超尹韬于双铭窦润江刘力源刘剑吴南健
一种基于动态放大器的开关电容积分器
一种基于动态放大器的开关电容积分器,包括:动态放大器,用于放大输入信号,动态放大器包括运算放大模块和尾部电流偏置模块,其中,运算放大模块用于提供预定的放大增益,尾部电流偏置模块用于为运算放大模块提供偏置电流,以确定运算放...
马松刘力源冯鹏刘剑吴南健
文献传递
基于单光子雪崩二极管的成像技术综述
2024年
单光子成像技术涉及半导体工艺、光电器件以及集成电路设计等多个方面,基于单光子雪崩二极管的成像技术具有高动态二维灰度成像、高精度三维成像和荧光寿命成像能力,在安防监控、自动驾驶和生物医疗等领域具有广阔的应用前景。伴随着半导体工艺技术的飞速发展,单光子成像技术有望成为应用广泛的下一代视觉感知技术。本文对基于单光子雪崩二极管的成像技术进行了系统的介绍,包括单光子雪崩二极管器件、单光子成像涉及的关键电路以及二维灰度和时间分辨单光子图像传感器的最新研究进展。
王哲田娜杨旭冯鹏冯鹏于双铭刘剑吴南健刘剑
关键词:CMOS图像传感器三维成像
无线射频识别温度标签的监测装置、系统及方法
一种无线射频识别温度标签的监测装置,包括:读写器,所述读写器与至少一个包含有温度传感器的温度标签通过无线射频互连,以及向所述温度标签发送功率;控制单元,所述控制单元与所述读写器互连,以及控制所述读写器改变功率同时读取所述...
司禹冯鹏于双铭吴南健
视觉任务处理器和图像处理芯片
本公开提供了视觉任务处理器和图像处理芯片,可以应用于信息处理领域。包括:控制模块、数据处理模块、存储模块和系统总线;其中,存储模块被配置为接收通过系统总线写入的待处理数据和待执行指令;控制模块被配置为在检测到存储模块有待...
魏思源刘力源杨旭冯鹏刘剑吴南健
面向高帧率CMOS图像传感器的12位列级全差分SAR/SS ADC设计
2024年
针对高帧率CMOS图像传感器的应用需求,提出一种结合逐次逼近型(Successive Approximation Register,SAR)和单斜坡(Single Slope,SS)结构的混合型模拟数字转换器(Analog to Digital Converter,ADC)。该ADC的分辨率为12位,其中SAR ADC实现高6位量化,SS ADC实现低6位量化。该ADC采用了全差分结构消除采样开关的固定失调并减少非线性误差,同时在SAR ADC中采用了异步逻辑电路进一步缩短转换周期。采用110 nm 1P4M CMOS工艺对该电路进行了设计和版图实现,后仿真结果表明,在20 MHz的时钟下,转换周期仅为3.3μs,无杂散动态范围为77.12 dB,信噪失真比为67.38 dB,有效位数为10.90位。
牛志强陈志坤胡子阳王刚刘剑吴南健吴南健
像素器件
一种像素器件,包括:衬底;光电二极管,形成于衬底上,光电二极管包括P型外延层,以及形成于P型外延层内的N型埋层和表面P+层,其中,表面P+层形成于N型埋层上;N型埋层包括第一离子注入区和第二离子注入区,第一离子注入区至少...
顾超冯鹏郭振华尹韬于双铭窦润江刘力源刘剑吴南健
文献传递
共6页<123456>
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