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叶然

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省“青蓝工程”资助基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 19篇氧化层
  • 15篇多晶
  • 14篇多晶硅
  • 14篇金属
  • 13篇多晶硅栅
  • 13篇栅氧化
  • 13篇栅氧化层
  • 13篇硅栅
  • 11篇金属接触
  • 11篇场板
  • 6篇导通
  • 6篇导通电阻
  • 6篇电阻
  • 6篇晶体管
  • 5篇双极型
  • 5篇静电放电
  • 5篇隔离区
  • 4篇低导通电阻
  • 4篇载流子
  • 4篇双极型晶体管

机构

  • 31篇东南大学

作者

  • 31篇叶然
  • 29篇孙伟锋
  • 28篇时龙兴
  • 27篇刘斯扬
  • 26篇陆生礼
  • 8篇薛颖
  • 4篇张春伟
  • 4篇孙陈超
  • 4篇李胜
  • 3篇王宁
  • 3篇袁永胜
  • 3篇李秀军
  • 3篇宋海洋
  • 2篇叶伟
  • 2篇杨玲
  • 2篇王剑峰
  • 2篇王剑锋
  • 2篇陈欣
  • 2篇周雷雷
  • 2篇童鑫

传媒

  • 1篇东南大学学报...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于三维电场调制的浅沟槽LDMOS器件研究
功率集成芯片是将功率器件、驱动电路、保护电路、接口电路等集成于同一芯片，通过智能控制实现电能的转换，广泛应用于汽车电子、工业控制、白色家电等领域。横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diff...
叶然
关键词：LDMOS器件低导通电阻热载流子
文献传递
一种低导通电阻功率半导体器件
一种低导通电阻功率半导体器件，其特征在于，在P型体区内横向设有凹槽且所述凹槽向N型漂移区延伸、经过高压N型区后进入N型漂移区，最终止于浅槽隔离区的边界，在P型体区的表面以及凹槽的底部和侧壁依次注硼、注磷、生长二氧化硅层1...
刘斯扬戴志刚吴其祥叶然徐志远孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法
本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤：步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容C<Su...
孙伟锋叶伟叶然马荣晶周雷雷陆生礼时龙兴
文献传递
一种功率模块焊接用焊片
本发明公开了一种功率模块焊接用焊片，包括金属网状骨架，在金属网状骨架的网眼空间内填充有钎焊材料。因为金属网状骨架的液相线温度远大于钎焊温度，在回流焊的过程中，钎焊材料先熔融成液体状态，98％～99％的钎焊材料熔融之后会注...
刘斯扬魏家行王宁宋海洋叶然孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，...
孙伟锋李秀军叶然魏家行杨翰琪刘斯扬陆生礼时龙兴
横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件
一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，...
孙伟锋杨翰琪薛颖叶然魏家行刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法
本发明公开了一种垂直型场效应晶体管直流特性和电容特性仿真方法，包括以下步骤：步骤10)获取直流特性测试数据文件；步骤20）根据漂移区特性建立漂移区电阻；步骤30）建立垂直型场效应晶体管直流特性模型；步骤40）电容C<Su...
孙伟锋叶伟叶然马荣晶周雷雷陆生礼时龙兴
横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件
一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，...
孙伟锋杨翰琪薛颖叶然魏家行刘斯扬陆生礼时龙兴
一种厚膜SOI-LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法
一种厚膜SOI‑LIGBT器件及其抗闩锁能力的提高方法，包括P型衬底，在P型衬底上设有一层埋氧化层，在埋氧化层上方有N型漂移区，N型漂移区的内部设有P型体区和N型缓冲区，在P型体区表面设有P型阴极接触区和n型阴极接触区，...
孙伟锋李秀军叶然魏家行杨翰琪刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管
一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体...
刘斯扬方云超杨翰琪李胜叶然孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
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